单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
64432119AA

64432119AA

LEAD SET IAP MAP SMAP 1SX & 1DX

Vishay

303
64432119AA数据手册 - - Box Active - - - - - - - - - - - - -
LFUSCD10120A

LFUSCD10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

Littelfuse Inc.

500
LFUSCD10120A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
S3D30065G

S3D30065G

DIODE SIL CARBIDE 650V 84A D2PAK

SMC Diode Solutions

414
S3D30065G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 84A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 2307pF @ 0V, 100MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
LSIC2SD120E15CC

LSIC2SD120E15CC

DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO247AD

Littelfuse Inc.

450
LSIC2SD120E15CC数据手册 Gen2 TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 454pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
SCS210AGHRC

SCS210AGHRC

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

Rohm Semiconductor

792
SCS210AGHRC数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.55 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 365pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
SCS310AMC

SCS310AMC

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM

Rohm Semiconductor

215
SCS310AMC数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C (Max)
IDW10S120FKSA1

IDW10S120FKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3

Infineon Technologies

4,069
IDW10S120FKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 1200 V 580pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
SIC05120B-BP

SIC05120B-BP

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC

Micro Commercial Co

4,895
SIC05120B-BP数据手册 - TO-220-2 Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 3 µA @ 1200 V 353pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSPF2065A

FFSPF2065A

DIODE SIC 650V 20A TO220F-2FS

onsemi

1,284
FFSPF2065A数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220F-2FS -55°C ~ 175°C
PCDP08120G1_T0_00001

PCDP08120G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

2,000
PCDP08120G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 418pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
NXPSC206506Q

NXPSC206506Q

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

WeEn Semiconductors

3,041
NXPSC206506Q数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 500 µA @ 650 V 600pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
LSIC2SD065A10A

LSIC2SD065A10A

DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2L

Littelfuse Inc.

1,006
LSIC2SD065A10A数据手册 Gen2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
PCDP2065G1_T0_00001

PCDP2065G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

2,000
PCDP2065G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 747pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
CDBJFSC101200-G

CDBJFSC101200-G

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220F

Comchip Technology

553
CDBJFSC101200-G数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220F -55°C ~ 175°C
WNSC2D30650WQ

WNSC2D30650WQ

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI

WeEn Semiconductors

275
WNSC2D30650WQ数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 980pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 175°C
WNSC6D20650WQ

WNSC6D20650WQ

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2

WeEn Semiconductors

484
WNSC6D20650WQ数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.4 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 1200pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 175°C
PAD100 TO-72 3L

PAD100 TO-72 3L

DIODE GEN PURP 45V 50MA TO72-3

Linear Integrated Systems, Inc.

460
PAD100 TO-72 3L数据手册 PAD TO-72-3 Metal Can Bulk Active Standard 45 V 50mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-72-3 -55°C ~ 150°C
FFSH3065A

FFSH3065A

DIODE SIL CARB 650V 26A TO247-2

onsemi

2,045
FFSH3065A数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 26A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1705pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S4D30120H2

S4D30120H2

1200V, 30A, TO-247AC, SIC SCHOTT

SMC Diode Solutions

205
S4D30120H2数据手册 - TO-247-2 Tube Active Schottky 1200 V 94A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 2581pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
PAD50 TO-72 3L

PAD50 TO-72 3L

DIODE GEN PURP 45V 50MA TO72-3

Linear Integrated Systems, Inc.

486
PAD50 TO-72 3L数据手册 PAD TO-72-3 Metal Can Bulk Active Standard 45 V 50mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 50 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-72-3 -55°C ~ 150°C
Total 47618 Record«Prev1... 715716717718719720721722...2381Next»

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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