单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
JANTX1N6640

JANTX1N6640

DIODE GEN PURP 50V 300MA

MACOM Technology Solutions

114
JANTX1N6640数据手册 - SQ-MELF, D Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 50 V 300mA 1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 90 µA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/578 & /609 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
R714XA

R714XA

RECTIFIER,TO-3,30A,400V,200NS,CA

Varo

279
R714XA数据手册 - - Box Active - - - - - - - - - - - - -
VS-175BGQ030HF4

VS-175BGQ030HF4

DIODE SCHOTTKY 30V 175A POWERTAB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

192
VS-175BGQ030HF4数据手册 - PowerTab® Tube Obsolete Schottky 30 V 175A 590 mV @ 175 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 30 V 8500pF @ 5V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Chassis Mount PowerTab® -55°C ~ 150°C
FFSH10120A-F155

FFSH10120A-F155

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

onsemi

180
FFSH10120A-F155数据手册 - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
SCS315AHGC9

SCS315AHGC9

DIODE SIL CARB 650V 15A TO220ACP

Rohm Semiconductor

376
SCS315AHGC9数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 75 µA @ 650 V 750pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACP 175°C (Max)
FFSH2065ADN-F155

FFSH2065ADN-F155

DIODE SIL CARB 650V 13A TO247-3

onsemi

632
FFSH2065ADN-F155数据手册 - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
NDSH20120C-F155

NDSH20120C-F155

SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

onsemi

415
NDSH20120C-F155数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 26A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1480pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
WNSC2D201200WQ

WNSC2D201200WQ

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2

WeEn Semiconductors

2,391
WNSC2D201200WQ数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 845pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 175°C
LSIC2SD065A16A

LSIC2SD065A16A

DIODE SIL CARB 650V 38A TO220-2L

Littelfuse Inc.

842
LSIC2SD065A16A数据手册 Gen2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 38A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
C6D20065G-TR

C6D20065G-TR

SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T

Wolfspeed, Inc.

800
C6D20065G-TR数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 64A 1.27 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
SCS210KGC

SCS210KGC

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

Rohm Semiconductor

156
SCS210KGC数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 550pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
AIDW30S65C5XKSA1

AIDW30S65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Infineon Technologies

24
AIDW30S65C5XKSA1数据手册 CoolSiC™ TO-247-3 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 860pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q100/101 Through Hole PG-TO247-3-41 -40°C ~ 175°C
STPSC15H12DY

STPSC15H12DY

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC

STMicroelectronics

990
STPSC15H12DY数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
IV1D12010O2

IV1D12010O2

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2

Inventchip

190
IV1D12010O2数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 575pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12010T2

IV1D12010T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

Inventchip

107
IV1D12010T2数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 575pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
SICB20120Y-TP

SICB20120Y-TP

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK

Micro Commercial Co

1,540
SICB20120Y-TP数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 1200 V 1552pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
IDW15S120FKSA1

IDW15S120FKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3

Infineon Technologies

9,240
IDW15S120FKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 305 µA @ 1200 V 870pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
SCS320AHGC9

SCS320AHGC9

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220ACP

Rohm Semiconductor

2,710
SCS320AHGC9数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 1000pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACP 175°C (Max)
1N4305

1N4305

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Fairchild Semiconductor

112,938
1N4305数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Obsolete Standard 75 V 300mA 850 mV @ 10 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
PCDP15120G1_T0_00001

PCDP15120G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

2,000
PCDP15120G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 1200 V 815pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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