单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
PX8746JDNG029XTMA1

PX8746JDNG029XTMA1

LED PX8746JDNG029XTMA1

Infineon Technologies

8,384
PX8746JDNG029XTMA1数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
SSTPAD20 SOT-23 3L ROHS

SSTPAD20 SOT-23 3L ROHS

DIODE GEN PURP 30V 10MA SOT23-3

Linear Integrated Systems, Inc.

4,995
SSTPAD20 SOT-23 3L ROHS数据手册 PAD TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active Standard 30 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 20 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 150°C
SICRB20650A

SICRB20650A

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK

SMC Diode Solutions

567
SICRB20650A数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 100 µA @ 650 V 1190pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
SCS308APC9

SCS308APC9

DIODE SILICON CARBIDE 650V 8A

Rohm Semiconductor

125
SCS308APC9数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 400pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole - 175°C (Max)
1N5818

1N5818

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO15

Fairchild Semiconductor

913
1N5818数据手册 - DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Schottky 30 V 1A 875 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 200 V - - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -50°C ~ 150°C
JPAD20 TO-92 2L

JPAD20 TO-92 2L

DIODE GEN PURP 35V 10MA TO92

Linear Integrated Systems, Inc.

1,098
JPAD20 TO-92 2L数据手册 PAD TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) Bulk Obsolete Standard 35 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 20 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-92 -55°C ~ 150°C
PAD20 DFN 8L ROHS

PAD20 DFN 8L ROHS

DIODE GEN PURP 30V 10MA 8DFN

Linear Integrated Systems, Inc.

3,000
PAD20 DFN 8L ROHS数据手册 PAD-DFN 8-VFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active Standard 30 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 20 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount 8-DFN (2x2) -55°C ~ 150°C
S3D20065G

S3D20065G

DIODE SIC 650V 20A TO263-2

SMC Diode Solutions

565
S3D20065G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 650 V 1450pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
NXPSC106506Q

NXPSC106506Q

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

WeEn Semiconductors

3,000
NXPSC106506Q数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
NXPSC10650X6Q

NXPSC10650X6Q

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F

WeEn Semiconductors

2,995
NXPSC10650X6Q数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220F 175°C (Max)
FFSM0865A

FFSM0865A

DIODE SIL CARB 650V 9.6A 4PQFN

onsemi

3,000
FFSM0865A数据手册 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9.6A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
LSIC2SD065A08A

LSIC2SD065A08A

DIODE SIL CARB 650V 23A TO220-2L

Littelfuse Inc.

1,021
LSIC2SD065A08A数据手册 Gen2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 415pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
NXPSC10650B6J

NXPSC10650B6J

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

WeEn Semiconductors

2,290
NXPSC10650B6J数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
SSTPAD10 SOT-23 3L ROHS

SSTPAD10 SOT-23 3L ROHS

DIODE GEN PURP 30V 10MA SOT23-3

Linear Integrated Systems, Inc.

5,955
SSTPAD10 SOT-23 3L ROHS数据手册 PAD TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active Standard 30 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 150°C
FFSB1265A

FFSB1265A

DIODE SIL CARB 650V 14A D2PAK-3

onsemi

670
FFSB1265A数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 14A 1.75 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 665pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -65°C ~ 175°C
SSTPAD5 SOT-23 3L ROHS

SSTPAD5 SOT-23 3L ROHS

DIODE GEN PURP 30V 10MA SOT23-3

Linear Integrated Systems, Inc.

3,059
SSTPAD5 SOT-23 3L ROHS数据手册 PAD TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active Standard 30 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 5 pA @ 20 V 0.5pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 150°C
SICRB12650

SICRB12650

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK

SMC Diode Solutions

247
SICRB12650数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
CDBDSC10650-G

CDBDSC10650-G

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

Comchip Technology

355
CDBDSC10650-G数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 690pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
PAD10 DFN 8L ROHS

PAD10 DFN 8L ROHS

DIODE GEN PURP 30V 10MA 8DFN

Linear Integrated Systems, Inc.

3,000
PAD10 DFN 8L ROHS数据手册 PAD-DFN 8-VFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active Standard 30 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount 8-DFN (2x2) -55°C ~ 150°C
NXPSC126506Q

NXPSC126506Q

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

WeEn Semiconductors

990
NXPSC126506Q数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 380pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
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单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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