单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
SDT08S60

SDT08S60

DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2

Infineon Technologies

6,617
SDT08S60数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 280pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
PCDP1065G1_T0_00001

PCDP1065G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

1,478
PCDP1065G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 364pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
PCDB1065G1_R2_00001

PCDB1065G1_R2_00001

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

4,000
PCDB1065G1_R2_00001数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 364pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 -55°C ~ 175°C
IV1D06006P3

IV1D06006P3

DIODE SIC 650V 16.7A TO252-3

Inventchip

2,481
IV1D06006P3数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16.7A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 224pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-3 -55°C ~ 175°C
FFSPF1065A

FFSPF1065A

DIODE SIC 650V 10A TO220F-2FS

onsemi

930
FFSPF1065A数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220F-2FS -55°C ~ 175°C
PCDD1065G1_L2_00001

PCDD1065G1_L2_00001

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,797
PCDD1065G1_L2_00001数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 364pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
STPSC1006D

STPSC1006D

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC

STMicroelectronics

166
STPSC1006D数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
WNSC6D16650B6J

WNSC6D16650B6J

DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK

WeEn Semiconductors

2,665
WNSC6D16650B6J数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.45 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 780pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK 175°C
C6D10065A

C6D10065A

DIODE SIL CARB 650V 37A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

442
C6D10065A数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STPSC12H065DY

STPSC12H065DY

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

219
STPSC12H065DY数据手册 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.75 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 120 µA @ 650 V 600pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
FFH75H60S

FFH75H60S

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247-2

onsemi

1,196
FFH75H60S数据手册 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 75A 2.2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
CDBJSC10650-G

CDBJSC10650-G

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F

Comchip Technology

472
CDBJSC10650-G数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 710pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220F -55°C ~ 175°C
UJ3D1210KSD

UJ3D1210KSD

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO247-3

Qorvo

528
UJ3D1210KSD数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
SSTPAD100 SOT-23 3L ROHS

SSTPAD100 SOT-23 3L ROHS

DIODE GEN PURP 30V 10MA SOT23-3

Linear Integrated Systems, Inc.

6,215
SSTPAD100 SOT-23 3L ROHS数据手册 PAD TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active Standard 30 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 150°C
RURU50100

RURU50100

DIODE AVALANCHE 1KV 50A TO218

Harris Corporation

2,668
RURU50100数据手册 - TO-218-1 Bulk Active Avalanche 1000 V 50A 1.9 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 500 µA @ 1000 V - - - Chassis Mount TO-218 -65°C ~ 175°C
JPAD100 TO-92 2L ROHS

JPAD100 TO-92 2L ROHS

DIODE GEN PURP 35V 10MA TO92

Linear Integrated Systems, Inc.

940
JPAD100 TO-92 2L ROHS数据手册 PAD TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) Bulk Active Standard 35 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-92 -55°C ~ 150°C
PAD100 DFN 8L ROHS

PAD100 DFN 8L ROHS

DIODE GEN PURP 30V 10MA 8DFN

Linear Integrated Systems, Inc.

2,990
PAD100 DFN 8L ROHS数据手册 PAD-DFN 8-VFDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Active Standard 30 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount 8-DFN (2x2) -55°C ~ 150°C
PCFFS4065AF

PCFFS4065AF

DIODE SIL CARBIDE 650V 40A DIE

onsemi

1,364
PCFFS4065AF数据手册 - Die Tray Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 40A 1.75 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1989pf @ 1V, 100kHz - - Surface Mount Die -55°C ~ 175°C
PAD50DFN 8L ROHS

PAD50DFN 8L ROHS

DIODE GEN PURP 30V 10MA 8DFN

Linear Integrated Systems, Inc.

3,000
PAD50DFN 8L ROHS数据手册 PAD-DFN 8-VFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active Standard 30 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 50 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount 8-DFN (2x2) -55°C ~ 150°C
LSIC2SD065C08A

LSIC2SD065C08A

DIODE SIL CARB 650V 23A TO252

Littelfuse Inc.

2,288
LSIC2SD065C08A数据手册 Gen2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 415pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
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单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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