单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
WNSC2D101200WQ

WNSC2D101200WQ

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

WeEn Semiconductors

2,317
WNSC2D101200WQ数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 490pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 175°C
CDBDSC8650-G

CDBDSC8650-G

DIODE SIL CARB 650V 25.5A DPAK

Comchip Technology

342
CDBDSC8650-G数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25.5A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 550pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
PCDP1665G1_T0_00001

PCDP1665G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

2,000
PCDP1665G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 618pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STPSC10C065RY

STPSC10C065RY

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK

STMicroelectronics

972
STPSC10C065RY数据手册 - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole I2PAK -40°C ~ 175°C
JPAD10 TO-92 2L

JPAD10 TO-92 2L

DIODE GEN PURP 35V 10MA TO92

Linear Integrated Systems, Inc.

2,597
JPAD10 TO-92 2L数据手册 PAD TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) Bulk Active Standard 35 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-92 -55°C ~ 150°C
NXPSC08650D6J

NXPSC08650D6J

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK

WeEn Semiconductors

7,184
NXPSC08650D6J数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 230 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DPAK 175°C (Max)
NXPSC086506Q

NXPSC086506Q

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

WeEn Semiconductors

3,000
NXPSC086506Q数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 230 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
NXPSC08650X6Q

NXPSC08650X6Q

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F

WeEn Semiconductors

2,926
NXPSC08650X6Q数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 230 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220F 175°C (Max)
RHRG5060

RHRG5060

DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2

onsemi

1,778
RHRG5060数据手册 - TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 50A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
JPAD5 TO-92 2L ROHS

JPAD5 TO-92 2L ROHS

DIODE GEN PURP 35V 10MA TO92

Linear Integrated Systems, Inc.

676
JPAD5 TO-92 2L ROHS数据手册 PAD TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) Bulk Active Standard 35 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 5 pA @ 20 V 0.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-92 -55°C ~ 150°C
STPSC12C065DY

STPSC12C065DY

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

154
STPSC12C065DY数据手册 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.75 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 120 µA @ 650 V 530pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
FFSPF0865A

FFSPF0865A

DIODE SIC 650V 8A TO220F-2FS

onsemi

915
FFSPF0865A数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220F-2FS -55°C ~ 175°C
NXPSC08650B6J

NXPSC08650B6J

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK

WeEn Semiconductors

3,160
NXPSC08650B6J数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 230 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
LSIC2SD065A06A

LSIC2SD065A06A

DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220L

Littelfuse Inc.

758
LSIC2SD065A06A数据手册 Gen2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 18.5A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-100BGQ015

VS-100BGQ015

SCHOTTKY RECT 15V 100A POWLRTAB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

288
VS-100BGQ015数据手册 - PowerTab™, PowIRtab™ Bulk Obsolete Schottky 15 V 100A 460 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 18 mA @ 15 V - - - Chassis Mount PowIRtab™ -
JPAD200 TO-92 2L

JPAD200 TO-92 2L

DIODE GEN PURP 35V 10MA TO92

Linear Integrated Systems, Inc.

1,031
JPAD200 TO-92 2L数据手册 PAD TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) Bulk Active Standard 35 V 10mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-92 -55°C ~ 150°C
CDBJFSC8650-G

CDBJFSC8650-G

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F

Comchip Technology

479
CDBJFSC8650-G数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220F -55°C ~ 175°C
IDDD12G65C6XTMA1

IDDD12G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10

Infineon Technologies

2,234
IDDD12G65C6XTMA1数据手册 CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 34A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 420 V 594pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
UJ3D06520KSD

UJ3D06520KSD

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3

Qorvo

9,218
UJ3D06520KSD数据手册 Gen-III TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 654pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
STTH30S06W

STTH30S06W

DIODE GEN PURP 600V 30A DO247-2

STMicroelectronics

521
STTH30S06W数据手册 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Obsolete Standard 600 V 30A 3.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole - -40°C ~ 175°C
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单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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