单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
APT10SCD120K

APT10SCD120K

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220

Microsemi Corporation

297
APT10SCD120K数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
JANTX1N6640US

JANTX1N6640US

DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D

MACOM Technology Solutions

181
JANTX1N6640US数据手册 - SQ-MELF, D Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 50 V 300mA 1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 90 µA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/578 & /609 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
STPSC20H12G2-TR

STPSC20H12G2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

1,000
STPSC20H12G2-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
FFSH15120A

FFSH15120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 26A TO247-2

onsemi

229
FFSH15120A数据手册 - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 26A 1.75 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 936pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSH3065ADN-F155

FFSH3065ADN-F155

DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3

onsemi

447
FFSH3065ADN-F155数据手册 - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 887pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
LSIC2SD065A20A

LSIC2SD065A20A

DIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2L

Littelfuse Inc.

873
LSIC2SD065A20A数据手册 Gen2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 45A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 960pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
NDSH30120C-F155

NDSH30120C-F155

SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

onsemi

326
NDSH30120C-F155数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 38A 1.75 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1961pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12DY

STPSC20H12DY

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

STMicroelectronics

970
STPSC20H12DY数据手册 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
IDH15S120AKSA1

IDH15S120AKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2

Infineon Technologies

4,906
IDH15S120AKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 360 µA @ 1200 V 750pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
ADC4D10120D

ADC4D10120D

DIODE SIL SIC 1200V 9A TO247-3

Analog Power Inc.

550
ADC4D10120D数据手册 WBG TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 9A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 1200 V 6.3pF @ 0V, 100kHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
RURU15080

RURU15080

DIODE AVALANCHE 800V 150A TO218

Harris Corporation

301
RURU15080数据手册 - TO-218-1 Bulk Active Avalanche 800 V 150A 1.9 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 500 µA @ 800 V - - - Chassis Mount TO-218 -65°C ~ 175°C
FFSH4065A

FFSH4065A

DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2

onsemi

551
FFSH4065A数据手册 - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 48A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1989pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12015T2

IV1D12015T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2

Inventchip

120
IV1D12015T2数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 44A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 1200 V 888pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
PCDP20120G1_T0_00001

PCDP20120G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

1,993
PCDP20120G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 1200 V 1040pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSH20120A-F155

FFSH20120A-F155

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

onsemi

579
FFSH20120A-F155数据手册 - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
PCDH20120G1_T0_00601

PCDH20120G1_T0_00601

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

1,500
PCDH20120G1_T0_00601数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 1200 V 1023pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 175°C
PCDB20120G1_R2_00001

PCDB20120G1_R2_00001

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,365
PCDB20120G1_R2_00001数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 1200 V 1040pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 -55°C ~ 175°C
NDSH40120C-F155

NDSH40120C-F155

SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

onsemi

421
NDSH40120C-F155数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 46A 1.75 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 2840pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSH30120A-F155

FFSH30120A-F155

DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2

onsemi

353
FFSH30120A-F155数据手册 - TO-247-2 Tray Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 46A 1.75 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1740pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12020T2

IV1D12020T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2

Inventchip

110
IV1D12020T2数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1114pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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