单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
LSIC2SD065D16A

LSIC2SD065D16A

DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263

Littelfuse Inc.

819
LSIC2SD065D16A数据手册 GEN2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 38A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 730pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
PAD20 TO-72 3L

PAD20 TO-72 3L

DIODE GEN PURP 45V 50MA TO72-3

Linear Integrated Systems, Inc.

484
PAD20 TO-72 3L数据手册 PAD TO-72-3 Metal Can Bulk Active Standard 45 V 50mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 20 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-72-3 -55°C ~ 150°C
SCS212AGHRC

SCS212AGHRC

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

Rohm Semiconductor

1,778
SCS212AGHRC数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.55 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 600 V 438pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
LSIC2SD065E12CCA

LSIC2SD065E12CCA

DIODE SIC 650V 18.5A TO247AD

Littelfuse Inc.

500
LSIC2SD065E12CCA数据手册 GEN2 TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 18.5A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
PAD10 TO-72 3L

PAD10 TO-72 3L

DIODE GEN PURP 45V 50MA TO72-3

Linear Integrated Systems, Inc.

495
PAD10 TO-72 3L数据手册 PAD TO-72-3 Metal Can Bulk Active Standard 45 V 50mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-72-3 -55°C ~ 150°C
PAD2 TO-72 3L

PAD2 TO-72 3L

DIODE GEN PURP 45V 50MA TO72-3

Linear Integrated Systems, Inc.

497
PAD2 TO-72 3L数据手册 PAD TO-72-3 Metal Can Bulk Active Standard 45 V 50mA 1.5 V @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 2 pA @ 20 V 1.5pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-72-3 -55°C ~ 150°C
CDBDSC51200-G

CDBDSC51200-G

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 18A DPAK

Comchip Technology

411
CDBDSC51200-G数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 18A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 475pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
IDH10S120AKSA1

IDH10S120AKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

Infineon Technologies

9,194
IDH10S120AKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
RHRU150100

RHRU150100

DIODE GEN PURP 1KV 150A SOT93

Harris Corporation

265
RHRU150100数据手册 - TO-218-3 Bulk Active Standard 1000 V 150A 3 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 500 µA @ 1000 V - - - Through Hole SOT-93 -65°C ~ 175°C
FFSH10120A

FFSH10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

onsemi

277
FFSH10120A数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSH2065A

FFSH2065A

DIODE SIL CARB 650V 25A TO247-2

onsemi

260
FFSH2065A数据手册 - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S4D30120G0

S4D30120G0

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

685
S4D30120G0数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - Surface Mount TO-263-2 -
PCDP10120G1_T0_00001

PCDP10120G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

1,984
PCDP10120G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 529pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
JANTX1N6638

JANTX1N6638

DIODE GEN PURP 125V 300MA

MACOM Technology Solutions

324
JANTX1N6638数据手册 - SQ-MELF, D Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 125 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4.5 ns 100 µA @ 125 V - Military MIL-PRF-19500/578 & /609 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
E6D20065G

E6D20065G

DIODE SIC 650V 68A TO263

Wolfspeed, Inc.

969
E6D20065G数据手册 E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 68A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 75 µA @ 650 V 1277pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
RURU10060

RURU10060

DIODE GEN PURP 600V 100A TO218

Harris Corporation

305
RURU10060数据手册 - TO-218-1 Bulk Active Standard 600 V 100A 1.6 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-218 -65°C ~ 175°C
PCDB10120G1_R2_00001

PCDB10120G1_R2_00001

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,350
PCDB10120G1_R2_00001数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 529pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 -55°C ~ 175°C
PCDD10120G1_L2_00001

PCDD10120G1_L2_00001

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,768
PCDD10120G1_L2_00001数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 529pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
JANTXV1N6642US

JANTXV1N6642US

DIODE GEN PURP 100V 300MA D-5B

Microchip Technology

108
JANTXV1N6642US数据手册 - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 100 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 100 V - Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
IDW30G65C5FKSA1

IDW30G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Infineon Technologies

7,764
IDW30G65C5FKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 1.1 mA @ 650 V 860pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
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单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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