单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
PCDP05120G1_T0_00001

PCDP05120G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

1,943
PCDP05120G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 252pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
PCDP1265G1_T0_00001

PCDP1265G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

2,000
PCDP1265G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 452pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
NXPSC06650X6Q

NXPSC06650X6Q

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F

WeEn Semiconductors

197
NXPSC06650X6Q数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 190pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220F 175°C (Max)
IDH10S60CAKSA1

IDH10S60CAKSA1

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2

Infineon Technologies

6,184
IDH10S60CAKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Bulk Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 600 V 480pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
PCDP0665G1_T0_00001

PCDP0665G1_T0_00001

TO-220AC, SIC

Panjit International Inc.

1,998
PCDP0665G1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 228pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
WND45P16WQ

WND45P16WQ

DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247-2

WeEn Semiconductors

1,008
WND45P16WQ数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 45A 1.4 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247-2 150°C
MUR6060B-BP

MUR6060B-BP

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Micro Commercial Co

512
MUR6060B-BP数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.7 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 15 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
FFSB0465A

FFSB0465A

DIODE SIL CARB 650V 7.7A D2PAK-2

onsemi

770
FFSB0465A数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 7.7A 1.75 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 258pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
CDBJFSC5650-G

CDBJFSC5650-G

DIODE SIL CARBIDE 650V 5A TO220F

Comchip Technology

346
CDBJFSC5650-G数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 5A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 430pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220F -55°C ~ 175°C
SICRF10650

SICRF10650

DIODE SIL CARB 650V 10A ITO220AC

SMC Diode Solutions

194
SICRF10650数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 695pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
PSDH6060L1_T0_00001

PSDH6060L1_T0_00001

TO-247AD-2LD, FAST

Panjit International Inc.

1,425
PSDH6060L1_T0_00001数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.75 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 205 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 150°C
MBRB2515LT4G

MBRB2515LT4G

DIODE SCHOTTKY 15V 25A D2PAK

onsemi

214
MBRB2515LT4G数据手册 SWITCHMODE™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 15 V 25A 450 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 15 V - - - Surface Mount D2PAK 100°C (Max)
S3D20065E

S3D20065E

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

2,500
S3D20065E数据手册 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - Surface Mount 5-DFN (8x8) -
STPSC6H12B-TR1

STPSC6H12B-TR1

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 6A DPAK

STMicroelectronics

7,403
STPSC6H12B-TR1数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 6A 1.9 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 330pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
VS-100BGQ030

VS-100BGQ030

DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

144
VS-100BGQ030数据手册 - PowerTab™, PowIRtab™ Bulk Obsolete Schottky 30 V 100A 580 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2.4 mA @ 30 V - - - Chassis Mount PowIRtab™ -55°C ~ 150°C
RHRU75100

RHRU75100

DIODE AVALANCHE 1KV 75A TO218

Harris Corporation

149
RHRU75100数据手册 - TO-218-1 Bulk Active Avalanche 1000 V 75A 3 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 500 µA @ 1000 V - - - Chassis Mount TO-218 -65°C ~ 175°C
RHRU7540

RHRU7540

DIODE AVALANCHE 400V 75A TO218

Harris Corporation

549
RHRU7540数据手册 - TO-218-1 Bulk Active Avalanche 400 V 75A 2.1 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 500 µA @ 400 V - - - Chassis Mount TO-218 -65°C ~ 175°C
FFSPF0665A

FFSPF0665A

DIODE SIC 650V 6A TO220F-2FS

onsemi

898
FFSPF0665A数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220F-2FS -55°C ~ 175°C
IV1D06006O2

IV1D06006O2

DIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220

Inventchip

132
IV1D06006O2数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 17.4A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 212pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
CDBD2SC21200-G

CDBD2SC21200-G

DIODE SIL CARB 1.2KV 6.2A TO263

Comchip Technology

381
CDBD2SC21200-G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 6.2A 1.7 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 136pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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