单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
PSDB3060L1_T0_00001

PSDB3060L1_T0_00001

TO-263, FRED

Panjit International Inc.

1,658
PSDB3060L1_T0_00001数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 600 V 30A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 250 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263 -55°C ~ 150°C
WNSC2D10650BJ

WNSC2D10650BJ

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

WeEn Semiconductors

8,768
WNSC2D10650BJ数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK 175°C
PSDH30120L1_T0_00001

PSDH30120L1_T0_00001

TO-247AD-2LD, FAST

Panjit International Inc.

1,460
PSDH30120L1_T0_00001数据手册 - TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 1200 V 30A 2.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 240 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 150°C
PSDH30120S1_T0_00001

PSDH30120S1_T0_00001

TO-247AD-2LD, FAST

Panjit International Inc.

1,388
PSDH30120S1_T0_00001数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 3.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 150°C
S4D10120G0

S4D10120G0

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

800
S4D10120G0数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
S4D10120G

S4D10120G

1200V, 10A, D2PAK, SIC SCHOTTKY

SMC Diode Solutions

133
S4D10120G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - Surface Mount TO-263-2 -
WNSC2D12650TJ

WNSC2D12650TJ

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN

WeEn Semiconductors

2,985
WNSC2D12650TJ数据手册 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 380pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (8x8) 175°C
SCS310AHGC9

SCS310AHGC9

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP

Rohm Semiconductor

361
SCS310AHGC9数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACP 175°C (Max)
RURU5060

RURU5060

DIODE AVALANCHE 600V 50A TO218

Harris Corporation

3,504
RURU5060数据手册 - TO-218-1 Bulk Active Avalanche 600 V 50A 1.6 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 500 µA @ 600 V - - - Chassis Mount TO-218 -65°C ~ 175°C
RURG8050

RURG8050

DIODE AVALANCHE 500V 80A TO247-2

Harris Corporation

481
RURG8050数据手册 - TO-247-2 Bulk Active Avalanche 500 V 80A 1.6 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 500 µA @ 500 V - - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
RURU8040

RURU8040

DIODE AVALANCHE 400V 80A TO218

Harris Corporation

3,000
RURU8040数据手册 - TO-218-1 Bulk Active Avalanche 400 V 80A 1.6 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 500 µA @ 400 V - - - Chassis Mount TO-218 -65°C ~ 175°C
WNSC12650T6J

WNSC12650T6J

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN

WeEn Semiconductors

2,998
WNSC12650T6J数据手册 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.8 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 328pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (8x8) 175°C
IDT10S60C

IDT10S60C

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2

Infineon Technologies

1,479
IDT10S60C数据手册 thinQ!™ TO-220-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A (DC) 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 600 V 480pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
SICU0460B-TP

SICU0460B-TP

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK

Micro Commercial Co

2,413
SICU0460B-TP数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 15 µA @ 650 V 200pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
FFSH1665A

FFSH1665A

DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2

onsemi

8,896
FFSH1665A数据手册 - TO-247-2 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 887pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 150°C
FFSP0465A

FFSP0465A

DIODE SIL CARB 650V 8.6A TO220-2

onsemi

792
FFSP0465A数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8.6A 1.75 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 258pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
NXPSC066506Q

NXPSC066506Q

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

WeEn Semiconductors

3,000
NXPSC066506Q数据手册 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 190pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
PCDD0665G1_L2_00001

PCDD0665G1_L2_00001

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,976
PCDD0665G1_L2_00001数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 228pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
NXPSC06650B6J

NXPSC06650B6J

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK

WeEn Semiconductors

3,188
NXPSC06650B6J数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 190pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
PCDB0665G1_R2_00001

PCDB0665G1_R2_00001

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

800
PCDB0665G1_R2_00001数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 228pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 -55°C ~ 175°C
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单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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