单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
PSDH60120S1_T0_00001

PSDH60120S1_T0_00001

TO-247AD-2LD, FAST

Panjit International Inc.

3,904
PSDH60120S1_T0_00001数据手册 - TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 1200 V 60A 3.2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 255 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 150°C
PSDH6060S1_T0_00001

PSDH6060S1_T0_00001

TO-247AD-2LD, FAST

Panjit International Inc.

1,347
PSDH6060S1_T0_00001数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 150°C
IDWD40E65E7XKSA1

IDWD40E65E7XKSA1

HOME APPLIANCES 14

Infineon Technologies

168
IDWD40E65E7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 50A 2.1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 89 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-3C05ET12T-M3

VS-3C05ET12T-M3

5A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJM

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

939
VS-3C05ET12T-M3数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 30 µA @ 1200 V 20pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
JAN1N5615

JAN1N5615

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

853
JAN1N5615数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
MUR60120BH-BP

MUR60120BH-BP

SUPERFAST RECTIFIERS 1200V 60A,

Micro Commercial Co

1,800
MUR60120BH-BP数据手册 - TO-247-2 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 5 µA @ 1200 V 250pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-ETU3006STRLHM3

VS-ETU3006STRLHM3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

208
VS-ETU3006STRLHM3数据手册 FRED Pt® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -65°C ~ 175°C
SDS065J010S3-ISBRH

SDS065J010S3-ISBRH

DIODE 650V-10A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

300
SDS065J010S3-ISBRH数据手册 - 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active - 650 V 10A - - - - - - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -
FFSM1065B

FFSM1065B

DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN

onsemi

4,519
FFSM1065B数据手册 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
IDWD50E65E7XKSA1

IDWD50E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2

Infineon Technologies

220
IDWD50E65E7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 92A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 94 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
S5D05170H

S5D05170H

1700V, 5A, TO-247AC, SIC SCHOTTK

SMC Diode Solutions

121
S5D05170H数据手册 - TO-247-2 Tube Active Schottky 1700 V 22A 1.8 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1700 V 497pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
IDWD60E120D7XKSA1

IDWD60E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 94A TO247-2

Infineon Technologies

192
IDWD60E120D7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 94A 3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 175 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
E6D10065A

E6D10065A

SIC, SCHOTTKY DIODE

Wolfspeed, Inc.

985
E6D10065A数据手册 E TO-220-2 Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 34A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 630pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D08060G-TR

C3D08060G-TR

DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

780
C3D08060G-TR数据手册 Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 600 V 26pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
PCDF0665G1_T0_00601

PCDF0665G1_T0_00601

650V/6A THROUGH HOLE SILICON CAR

Panjit International Inc.

2,000
PCDF0665G1_T0_00601数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 232pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
PGR9016PT_T0_00301

PGR9016PT_T0_00301

STANDARD REVERSE RECOVERY POWER

Panjit International Inc.

2,100
PGR9016PT_T0_00301数据手册 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
TSCDT10065G1

TSCDT10065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

2,986
TSCDT10065G1数据手册 - TO-220-2 Tube Active Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 45pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
TSCDF10065G1

TSCDF10065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 10A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

986
TSCDF10065G1数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 45pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-HFA08PB60-N3

VS-HFA08PB60-N3

DIODE GP 600V 8A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

250
VS-HFA08PB60-N3数据手册 HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 5 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
PCDD0665GB_L2_00601

PCDD0665GB_L2_00601

650V/6A IN TO-252AA PACKAGE SILI

Panjit International Inc.

3,000
PCDD0665GB_L2_00601数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.6 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 373pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 577578579580581582583584...2381Next»

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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