单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
SF3008PTH

SF3008PTH

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Taiwan Semiconductor Corporation

688
SF3008PTH数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 1.7 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V 175pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD (TO-3P) -55°C ~ 150°C
SDS065J006S3-ISBRH

SDS065J006S3-ISBRH

DIODE 650V-6A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

200
SDS065J006S3-ISBRH数据手册 Sanan DFN8 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 18 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
SDS065J008D3-ISARH

SDS065J008D3-ISARH

DIODE 650V-8A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS065J008D3-ISARH数据手册 Sanan TO252 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.3 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 24 µA @ 650 V - - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
TRS8E65H,S1Q

TRS8E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 8A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

338
TRS8E65H,S1Q数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.35 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 520pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
FFSD1065B

FFSD1065B

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

4,116
FFSD1065B数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SE30124-M3/I

SE30124-M3/I

30A,1200V,DO-218AB RECTIFIER

Vishay

3,000
SE30124-M3/I数据手册 - DO-218AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 4.2A 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1200 V 35pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount DO-218AB -55°C ~ 175°C
VS-20ETF12FP-M3

VS-20ETF12FP-M3

DIODE GP 1.2KV 20A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

695
VS-20ETF12FP-M3数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
BSDD08G65E2

BSDD08G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO252

Bourns Inc.

5,000
BSDD08G65E2数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 267pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SIT10C065

SIT10C065

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

Diotec Semiconductor

980
SIT10C065数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
VS-APU3006HN3

VS-APU3006HN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

492
VS-APU3006HN3数据手册 FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
PCDF0465G1_T0_00601

PCDF0465G1_T0_00601

650V/4A THROUGH HOLE SILICON CAR

Panjit International Inc.

2,000
PCDF0465G1_T0_00601数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSM0865B

FFSM0865B

DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN

onsemi

2,980
FFSM0865B数据手册 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.6A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
SDS065J008C3-ISATH

SDS065J008C3-ISATH

DIODE 650V-8A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS065J008C3-ISATH数据手册 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 24 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-20ETF04STRL-M3

VS-20ETF04STRL-M3

DIODE GEN PURP 400V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,894
VS-20ETF04STRL-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 400 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
PCDD0465GB_L2_00601

PCDD0465GB_L2_00601

650V/4A IN TO-252AA PACKAGE SILI

Panjit International Inc.

3,000
PCDD0465GB_L2_00601数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.6 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 261pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
TRS10V65H,LQ

TRS10V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 10A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

3,975
TRS10V65H,LQ数据手册 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 649pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
IDWD30E120D7XKSA1

IDWD30E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 52A TO247-2

Infineon Technologies

120
IDWD30E120D7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 52A 3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 135 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
D6015L52TP

D6015L52TP

DIODE GP 600V 9.5A ITO220AB

Littelfuse Inc.

457
D6015L52TP数据手册 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 9.5A 1.6 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 10 µA @ 600 V - - - Through Hole ITO-220AB -40°C ~ 125°C
SIT12C065

SIT12C065

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

Diotec Semiconductor

1,000
SIT12C065数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.75 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
IDWD20E65E7XKSA1

IDWD20E65E7XKSA1

HOME APPLIANCES 14

Infineon Technologies

220
IDWD20E65E7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 42A 2.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 74 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 574575576577578579580581...2381Next»

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

萬通电子有限公司

搜索

萬通电子有限公司

产品

萬通电子有限公司

电话

萬通电子有限公司

用户

萬通电子有限公司 萬通电子有限公司 萬通电子有限公司
WHATSAPP

+86 13760362468

萬通电子有限公司