单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
VS-8EWS16S-M3

VS-8EWS16S-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,906
VS-8EWS16S-M3数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 1600 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
PCDD0465G1_L2_00001

PCDD0465G1_L2_00001

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,712
PCDD0465G1_L2_00001数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 146pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
DSC10A065D1-13

DSC10A065D1-13

SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252

Diodes Incorporated

1,956
DSC10A065D1-13数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 650 V 434pF @ 100mV, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (Type WX) -55°C ~ 175°C
RHRP3060G

RHRP3060G

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Diotec Semiconductor

590
RHRP3060G数据手册 - TO-220-2 Bulk Active Standard 600 V 30A 1.7 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 5 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
TSCDT06065G1

TSCDT06065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

966
TSCDT06065G1数据手册 - TO-220-2 Tube Active Schottky 650 V 6A 1.45 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 30.5pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-20ETF06THM3

VS-20ETF06THM3

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

730
VS-20ETF06THM3数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
TSCDF06065G1

TSCDF06065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 6A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

946
TSCDF06065G1数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 650 V 6A 1.45 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 30.5pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
RBQ16NL45BFHHTL

RBQ16NL45BFHHTL

45V, 16A, TO-263L, LOW IR SBD FO

Rohm Semiconductor

1,000
RBQ16NL45BFHHTL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 16A 610 mV @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 80 µA @ 45 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
IDW30E60FKSA1

IDW30E60FKSA1

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3

Infineon Technologies

179
IDW30E60FKSA1数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 60A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 143 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
VS-20ETS16-M3

VS-20ETS16-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 20A TO220-3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,750
VS-20ETS16-M3数据手册 - TO-220-3 Tube Active Standard 1600 V 20A 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-220-3 -40°C ~ 150°C
RFUH25NS3SFHTL

RFUH25NS3SFHTL

FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Rohm Semiconductor

1,000
RFUH25NS3SFHTL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 350 V 20A 1.45 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 350 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPDS 150°C
VS-3C08EV07T-M3/I

VS-3C08EV07T-M3/I

SIC-G3-SLIMDPAK 2L

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,288
VS-3C08EV07T-M3/I数据手册 eSMP® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 340pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount SlimDPAK -55°C ~ 175°C
IDH04SG60CXKSA2

IDH04SG60CXKSA2

DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-1

Infineon Technologies

334
IDH04SG60CXKSA2数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 2.3 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 600 V 80pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
RFNL15TJ6SFHGC9

RFNL15TJ6SFHGC9

SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFNL

Rohm Semiconductor

1,000
RFNL15TJ6SFHGC9数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 15A 1.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220ACFP 150°C
YQ30NL10SEFHTL

YQ30NL10SEFHTL

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 30A,

Rohm Semiconductor

954
YQ30NL10SEFHTL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 30A 860 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 100 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 150°C
MUR30120BH-BP

MUR30120BH-BP

DIODE FAST REC 30A 1.2KV

Micro Commercial Co

1,779
MUR30120BH-BP数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.4 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
FFSB0865B

FFSB0865B

DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK

onsemi

765
FFSB0865B数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10.1A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
DST3060DJF

DST3060DJF

DIODE SCHOTTKY 60V 30A 8DFN

Littelfuse Inc.

17,683
DST3060DJF数据手册 - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 30A 770 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 60 V - - - Surface Mount 8-PDFN (5x6) -55°C ~ 150°C
PLDS3080H

PLDS3080H

30A, 800V, Standard Rectifier

Taiwan Semiconductor Corporation

800
PLDS3080H数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 30A 1.18 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V 138pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 150°C
SF3008PT

SF3008PT

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Taiwan Semiconductor Corporation

772
SF3008PT数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 1.7 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V 175pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD (TO-3P) -55°C ~ 150°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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