单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
VS-3C10CP12L-M3

VS-3C10CP12L-M3

10A 1200V SIC ZERO QRR DUAL TJMA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

500
VS-3C10CP12L-M3数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 30 µA @ 1200 V 20pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
SCS205KNHRTRL

SCS205KNHRTRL

1200V 5A SMD SILICON CARBIDE

Rohm Semiconductor

200
SCS205KNHRTRL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 260pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
BSDV10G120E2

BSDV10G120E2

DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2

Bourns Inc.

2,994
BSDV10G120E2数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 481pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
SCS310AGC16

SCS310AGC16

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP

Rohm Semiconductor

1,000
SCS310AGC16数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
PCDG10120GB_L2_00601

PCDG10120GB_L2_00601

SIC DIODE 1200V/10A IN TO-252AA

Panjit International Inc.

6,000
PCDG10120GB_L2_00601数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
SDS065J016H3-ISATH

SDS065J016H3-ISATH

DIODE 650V-16A TO247-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS065J016H3-ISATH数据手册 Sanan TO247 TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 44A 1.5 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 48 µA @ 650 V 837pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
IDWD120E120D7XKSA1

IDWD120E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 177A TO247

Infineon Technologies

129
IDWD120E120D7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 177A 3 V @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 215 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
SIT20C065

SIT20C065

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

Diotec Semiconductor

970
SIT20C065数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
SDS120J010E3-ISARH

SDS120J010E3-ISARH

DIODE 1200V-10A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS120J010E3-ISARH数据手册 Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
VS-90EPF12L-M3

VS-90EPF12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

466
VS-90EPF12L-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.38 V @ 90 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
PCDF0865G1_T0_00601

PCDF0865G1_T0_00601

650V/8A THROUGH HOLE SILICON CAR

Panjit International Inc.

2,000
PCDF0865G1_T0_00601数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSH3065B

FFSH3065B

DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2

onsemi

326
FFSH3065B数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 37A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1260pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
SDS065J020D3-ISARH

SDS065J020D3-ISARH

DIODE 650V-20A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS065J020D3-ISARH数据手册 Sanan TO252 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A 1.5 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1018pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
PCDP0865GB_T0_00601

PCDP0865GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
PCDP0865GB_T0_00601数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 372pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
PCDP1065GC_T0_00601

PCDP1065GC_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

1,961
PCDP1065GC_T0_00601数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 271pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
PSC1665JJ

PSC1665JJ

SIC DIODES AND FETS

Nexperia USA Inc.

800
PSC1665JJ数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 475pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK R2P -55°C ~ 175°C
PCDD1065GB_L2_00601

PCDD1065GB_L2_00601

650V/10A IN TO-252AA PACKAGE SIL

Panjit International Inc.

3,000
PCDD1065GB_L2_00601数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 610pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
VS-30EPF10-M3

VS-30EPF10-M3

DIODE GP 1KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

326
VS-30EPF10-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
JAN1N5809

JAN1N5809

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Microchip Technology

117
JAN1N5809数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 6A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
FFSP15120A

FFSP15120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220L

onsemi

574
FFSP15120A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.75 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 936pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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