单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
IDWD120E65E7XKSA1

IDWD120E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2

Infineon Technologies

210
IDWD120E65E7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 150A 2.1 V @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 98 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-65EPS16L-M3

VS-65EPS16L-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

184
VS-65EPS16L-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 65A 1.17 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
C6D08065E-TR

C6D08065E-TR

SIC, SCHOTTKY DIODE, 8A, 650V, T

Wolfspeed, Inc.

2,370
C6D08065E-TR数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D08065G-TR

C6D08065G-TR

SIC, SCHOTTKY DIODE, 8A, 650V, T

Wolfspeed, Inc.

2,300
C6D08065G-TR数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.4 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C3D08065E-TR

C3D08065E-TR

DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

2,190
C3D08065E-TR数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
STPSC12065D

STPSC12065D

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

749
STPSC12065D数据手册 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
SDS120J010D3-ISARH

SDS120J010D3-ISARH

DIODE 1200V-10A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS120J010D3-ISARH数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
BSDD10S65E6

BSDD10S65E6

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252

Bourns Inc.

4,995
BSDD10S65E6数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
BSDB10S65E6

BSDB10S65E6

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263

Bourns Inc.

3,170
BSDB10S65E6数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 -55°C ~ 175°C
BSDL10S65E6

BSDL10S65E6

DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8

Bourns Inc.

2,697
BSDL10S65E6数据手册 - 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSM1265A

FFSM1265A

DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN

onsemi

2,585
FFSM1265A数据手册 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12.5A 1.75 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 665pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
PSC1065KQ

PSC1065KQ

PSC1065K/SOT8021/TO220-2L

Nexperia USA Inc.

974
PSC1065KQ数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 175°C
IDWD60E65E7XKSA1

IDWD60E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2

Infineon Technologies

187
IDWD60E65E7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 100A 2.1 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 99 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
IDWD75E120D7XKSA1

IDWD75E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 116A TO247

Infineon Technologies

235
IDWD75E120D7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 116A 3 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 195 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-3C05ET12S2L-M3

VS-3C05ET12S2L-M3

5A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJM

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

796
VS-3C05ET12S2L-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 30 µA @ 1200 V 20pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
IDWD75E65E7XKSA1

IDWD75E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2

Infineon Technologies

210
IDWD75E65E7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 100A 2.1 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 97 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
SDS065J012S3-ISARH

SDS065J012S3-ISARH

DIODE 650V-12A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

200
SDS065J012S3-ISARH数据手册 Sanan DFN8 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 44A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 36 µA @ 650 V 651pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
PCDP0865GC_T0_00601

PCDP0865GC_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
PCDP0865GC_T0_00601数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.8 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
APT60D120SG

APT60D120SG

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Microchip Technology

156
APT60D120SG数据手册 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 1200 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 250 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
FFSB2065B

FFSB2065B

DIODE SIL CARB 650V 22.8A D2PAK

onsemi

2,178
FFSB2065B数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22.8A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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