单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
RFUH20TJ6SFHGC9

RFUH20TJ6SFHGC9

SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFUH

Rohm Semiconductor

1,000
RFUH20TJ6SFHGC9数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 2.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 220 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220ACFP 150°C
TRS12V65H,LQ

TRS12V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

4,472
TRS12V65H,LQ数据手册 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 778pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
SDS120J005C3-ISATH

SDS120J005C3-ISATH

DIODE 1200V-5A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS120J005C3-ISATH数据手册 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-3C10EV07T-M3/I

VS-3C10EV07T-M3/I

SIC-G3-SLIMDPAK 2L

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,391
VS-3C10EV07T-M3/I数据手册 eSMP® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 55 µA @ 650 V 445pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount SlimDPAK -55°C ~ 175°C
S6D20065A

S6D20065A

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

250
S6D20065A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 61A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
S3D15065I

S3D15065I

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

990
S3D15065I数据手册 - TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 42A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 650 V 1243pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-Isolation -55°C ~ 175°C
SDS065J010D3-ISARH

SDS065J010D3-ISARH

DIODE 650V-10A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

300
SDS065J010D3-ISARH数据手册 Sanan TO263 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
S3D15065H

S3D15065H

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

300
S3D15065H数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 42A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 650 V 1243pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
TRS12E65H,S1Q

TRS12E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

370
TRS12E65H,S1Q数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 778pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
BSDD10G65E2

BSDD10G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252

Bourns Inc.

9,660
BSDD10G65E2数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 323pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
IDWD50E120D7XKSA1

IDWD50E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 81A TO247-2

Infineon Technologies

230
IDWD50E120D7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 81A 3 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 160 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
SDS065J010C3-ISATH

SDS065J010C3-ISATH

DIODE 650V-10A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

290
SDS065J010C3-ISATH数据手册 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
SDS120J010C3-ISATH

SDS120J010C3-ISATH

DIODE 1200V-10A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS120J010C3-ISATH数据手册 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSB0665A

FFSB0665A

DIODE SIL CARB 650V 9A D2PAK-3

onsemi

800
FFSB0665A数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP2065B

FFSP2065B

DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220

onsemi

397
FFSP2065B数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22.5A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
SDS065J010E3-ISARH

SDS065J010E3-ISARH

DIODE 650V-10A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

300
SDS065J010E3-ISARH数据手册 Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
BSDH10G120E2

BSDH10G120E2

DIODE SIC 1200V 10A TO220-2

Bourns Inc.

2,929
BSDH10G120E2数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V 481pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
PCDP0465GB_T0_00601

PCDP0465GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

1,931
PCDP0465GB_T0_00601数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.6 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
IDK08G65C5XTMA2

IDK08G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2

Infineon Technologies

959
IDK08G65C5XTMA2数据手册 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 250pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
FFSD1065B-F085

FFSD1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

1,968
FFSD1065B-F085数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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