单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
CRU24730-600 SL

CRU24730-600 SL

RECTIFIER-ULTRA FAST <100

Central Semiconductor Corp

1,440
CRU24730-600 SL数据手册 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
MBR30170MFST3G

MBR30170MFST3G

DIODE SCHOTTKY 170V 30A 5DFN

onsemi

5,000
MBR30170MFST3G数据手册 - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 170 V 30A 890 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 170 V 821pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
TRS6V65H,LQ

TRS6V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

4,803
TRS6V65H,LQ数据手册 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.35 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 392pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
FESF16JTHE3_A/P

FESF16JTHE3_A/P

DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,995
FESF16JTHE3_A/P数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 16A 1.5 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -65°C ~ 150°C
SF3006PT

SF3006PT

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD

Taiwan Semiconductor Corporation

806
SF3006PT数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 30A 1.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 400 V 175pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD (TO-3P) -55°C ~ 150°C
YQ30NL10SETL

YQ30NL10SETL

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 30A,

Rohm Semiconductor

990
YQ30NL10SETL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 30A 860 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 100 V - - - Surface Mount TO-263L 150°C
VS-EPH3007L-N3

VS-EPH3007L-N3

DIODE GEN PURP 650V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

390
VS-EPH3007L-N3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 30A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 37 ns 30 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-EPU3006LHN3

VS-EPU3006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

499
VS-EPU3006LHN3数据手册 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
TRS6E65H,S1Q

TRS6E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

194
TRS6E65H,S1Q数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.35 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 392pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
BSDH08G65E2

BSDH08G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2

Bourns Inc.

3,000
BSDH08G65E2数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 267pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-25ETS08S-M3

VS-25ETS08S-M3

DIODE GEN PURP 800V 25A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,049
VS-25ETS08S-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 800 V 25A 1.14 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
SDS065J006D3-ISARH

SDS065J006D3-ISARH

DIODE 650V-6A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS065J006D3-ISARH数据手册 Sanan TO263 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
VS-20ETF06STRL-M3

VS-20ETF06STRL-M3

DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,202
VS-20ETF06STRL-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
IDW50E60FKSA1

IDW50E60FKSA1

DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3

Infineon Technologies

240
IDW50E60FKSA1数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 80A 2 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
FFSB0665B

FFSB0665B

DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

onsemi

712
FFSB0665B数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
SDS065J010N3-ISATH

SDS065J010N3-ISATH

DIODE 650V-10A TO220N-2L

Luminus Devices Inc.

290
SDS065J010N3-ISATH数据手册 Sanan TO220N TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 26A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220N-2L -55°C ~ 175°C
BSDD06G65E2

BSDD06G65E2

DIODE SIC 650V 6A TO252

Bourns Inc.

4,963
BSDD06G65E2数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 650 V 201pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SDS065J006C3-ISATH

SDS065J006C3-ISATH

DIODE 650V-6A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS065J006C3-ISATH数据手册 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-8EWS12STRL-M3

VS-8EWS12STRL-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,900
VS-8EWS12STRL-M3数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
SDS065J006E3-ISARH

SDS065J006E3-ISARH

DIODE 650V-6A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

200
SDS065J006E3-ISARH数据手册 Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
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单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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