单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
RB208RSM15STL1

RB208RSM15STL1

150V 15A, TO-277A, ULTRA LOW SBD

Rohm Semiconductor

4,000
RB208RSM15STL1数据手册 - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 150 V 15A 880 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 8.3 µA @ 150 V - - - Surface Mount TO-277A 175°C
NRVTS30120MFST3G

NRVTS30120MFST3G

DIODE SCHOTTKY 120V 30A 5DFN

onsemi

4,304
NRVTS30120MFST3G数据手册 - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 120 V 30A 950 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 120 V 1470pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
DSC08C065D1-13

DSC08C065D1-13

SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252

Diodes Incorporated

2,495
DSC08C065D1-13数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V 278pF @ 100mV, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (Type WX) -55°C ~ 175°C
FFSP0665B

FFSP0665B

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2

onsemi

483
FFSP0665B数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DST2060DJF

DST2060DJF

DIODE SCHOTTKY 60V 20A 8DFN

Littelfuse Inc.

14,843
DST2060DJF数据手册 - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 20A 750 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 60 V - - - Surface Mount 8-PDFN (5x6) -55°C ~ 150°C
PSDP3060L1_T0_00001

PSDP3060L1_T0_00001

TO-220AC, FAST

Panjit International Inc.

3,935
PSDP3060L1_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
VS-6EWH06FNTRHM3

VS-6EWH06FNTRHM3

DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,000
VS-6EWH06FNTRHM3数据手册 FRED Pt® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 6A 2.1 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 50 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA (DPAK) -65°C ~ 175°C
YQ12RSM10SDTFTL1

YQ12RSM10SDTFTL1

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 12A

Rohm Semiconductor

4,000
YQ12RSM10SDTFTL1数据手册 - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 12A 670 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 90 µA @ 100 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-277A 175°C
TRS4E65H,S1Q

TRS4E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 4A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

341
TRS4E65H,S1Q数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.35 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 55 µA @ 650 V 263pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
SE30DT12HM3/I

SE30DT12HM3/I

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,243
SE30DT12HM3/I数据手册 eSMP® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3.4 µs 10 µA @ 1200 V 132pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount SMPD -55°C ~ 175°C
SDS065J004D3-ISARH

SDS065J004D3-ISARH

DIODE 650V-4A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

150
SDS065J004D3-ISARH数据手册 Sanan TO252 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 14A 1.5 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 12 µA @ 650 V 213pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
UF1008F_T0_00001

UF1008F_T0_00001

ITO-220AC, ULTRA

Panjit International Inc.

1,738
UF1008F_T0_00001数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 800 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 1 µA @ 800 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
SIT08C065

SIT08C065

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

Diotec Semiconductor

1,000
SIT08C065数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
YQ20NL10SDTL

YQ20NL10SDTL

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A

Rohm Semiconductor

988
YQ20NL10SDTL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 20A 960 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 70 µA @ 100 V - - - Surface Mount TO-263L 150°C
P2500X

P2500X

DIODE AVALANCHE 1800V 25A P600

Diotec Semiconductor

940
P2500X数据手册 - P600, Axial Cut Tape (CT) Active Avalanche 1800 V 25A 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1800 V - - - Through Hole P-600 -50°C ~ 175°C
VS-30ETH06STRR-M3

VS-30ETH06STRR-M3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,542
VS-30ETH06STRR-M3数据手册 FRED Pt® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -65°C ~ 175°C
YQ15RSM10SDTFTL1

YQ15RSM10SDTFTL1

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 15A

Rohm Semiconductor

3,328
YQ15RSM10SDTFTL1数据手册 - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 15A 680 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 100 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-277A 175°C
FFSH1065B-F155

FFSH1065B-F155

650V 10A SIC SBD GEN 1.5

onsemi

153
FFSH1065B-F155数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-20ATS12HM3

VS-20ATS12HM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220-3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

975
VS-20ATS12HM3数据手册 - TO-220-3 Tube Active Standard 1200 V 20A 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-3 -40°C ~ 150°C
SDS120J002C3-ISATH

SDS120J002C3-ISATH

DIODE 1200V-2A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

169
SDS120J002C3-ISATH数据手册 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 11A 1.5 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 8 µA @ 1200 V 165pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
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单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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