单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
VS-40EPF12-M3

VS-40EPF12-M3

DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

231
VS-40EPF12-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 40A 1.4 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
1N5806USE3

1N5806USE3

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

Microchip Technology

148
1N5806USE3数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 150 V 1A 975 mV @ 2.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-HFA08PB120-N3

VS-HFA08PB120-N3

DIODE GP 1.2KV 8A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

500
VS-HFA08PB120-N3数据手册 HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 8A 3.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 95 ns 10 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
STPSC10H12WL

STPSC10H12WL

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DO247

STMicroelectronics

244
STPSC10H12WL数据手册 ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
VS-25FR40

VS-25FR40

DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

101
VS-25FR40数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 25A 1.3 V @ 78 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
CDLL5819

CDLL5819

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

144
CDLL5819数据手册 - DO-213AB, MELF Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 125°C
STPSC10H12DY

STPSC10H12DY

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

STMicroelectronics

125
STPSC10H12DY数据手册 ECOPACK® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
1N5617US

1N5617US

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

Microchip Technology

608
1N5617US数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V 35pF @ 12V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60APU02-N3

VS-60APU02-N3

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

438
VS-60APU02-N3数据手册 FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 200 V 60A 1.08 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 28 ns 50 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
SCS210AJTLL

SCS210AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB

Rohm Semiconductor

1,249
SCS210AJTLL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.55 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
STTH6012W

STTH6012W

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

4,917
STTH6012W数据手册 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 2.25 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 125 ns 30 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
GD20MPS12A

GD20MPS12A

DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

2,307
GD20MPS12A数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 42A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 737pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-65EPF12LHM3

VS-65EPF12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

140
VS-65EPF12LHM3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 65A 1.42 V @ 65 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
FFSP10120A

FFSP10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220L

onsemi

689
FFSP10120A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.75 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
JANTX1N5804

JANTX1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Microchip Technology

148
JANTX1N5804数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N5711-1

1N5711-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Microchip Technology

836
1N5711-1数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
VS-40HF10

VS-40HF10

DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

102
VS-40HF10数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
SCS205KGC17

SCS205KGC17

DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

740
SCS205KGC17数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 270pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
DPG60I400HA

DPG60I400HA

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247

IXYS

284
DPG60I400HA数据手册 HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 60A 1.47 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 1 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
C3D08065I

C3D08065I

DIODE SIL CARB 650V 16.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

178
C3D08065I数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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