单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
C6D06065G

C6D06065G

DIODE SIL CARB 650V 23A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,121
C6D06065G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.4 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 393pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C6D06065A

C6D06065A

DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

773
C6D06065A数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 394pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IDW75E60FKSA1

IDW75E60FKSA1

DIODE GP 600V 120A TO247-3-1

Infineon Technologies

454
IDW75E60FKSA1数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 120A 2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 121 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
VS-8EWF02S-M3

VS-8EWF02S-M3

DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

879
VS-8EWF02S-M3数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 200 V 8A 1.2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
DHG10I1800PA

DHG10I1800PA

DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC

IXYS

225
DHG10I1800PA数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 1800 V 10A 2.23 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 50 µA @ 1800 V 3pF @ 900V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
DUR30120

DUR30120

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AB

Littelfuse Inc.

884
DUR30120数据手册 DUR TO-220-3 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AB -55°C ~ 150°C
STPSC6H065DI

STPSC6H065DI

DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS

STMicroelectronics

800
STPSC6H065DI数据手册 - TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.75 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 60 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
STBR3012WY

STBR3012WY

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247

STMicroelectronics

146
STBR3012WY数据手册 ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 30A 1.3 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STTH30L06WY

STTH30L06WY

DIODE GEN PURP 600V 30A DO247

STMicroelectronics

374
STTH30L06WY数据手册 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 30A 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STTH3012W

STTH3012W

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247

STMicroelectronics

720
STTH3012W数据手册 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 30A 2.25 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
C3D04065A

C3D04065A

DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

1,184
C3D04065A数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STTH61W04SW

STTH61W04SW

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247

STMicroelectronics

270
STTH61W04SW数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 60A 1.35 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 20 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247 175°C (Max)
IDDD08G65C6XTMA1

IDDD08G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10

Infineon Technologies

1,875
IDDD08G65C6XTMA1数据手册 CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 27 µA @ 420 V 401pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
STPSC10065D

STPSC10065D

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

STMicroelectronics

538
STPSC10065D数据手册 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STPSC10065DLF

STPSC10065DLF

DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT

STMicroelectronics

2,074
STPSC10065DLF数据手册 ECOPACK®2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV -40°C ~ 175°C
VS-E5PH7506L-N3

VS-E5PH7506L-N3

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

303
VS-E5PH7506L-N3数据手册 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 75A 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 57 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-65EPS12L-M3

VS-65EPS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

578
VS-65EPS12L-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 65A 1.12 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
UJ3D06520TS

UJ3D06520TS

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

Qorvo

6,004
UJ3D06520TS数据手册 Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 654pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STPSC5H12D

STPSC5H12D

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC

STMicroelectronics

2,772
STPSC5H12D数据手册 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 450pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STTH31AC06SWL

STTH31AC06SWL

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

STMicroelectronics

187
STTH31AC06SWL数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 -40°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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