单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
C6D10065G

C6D10065G

DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

253
C6D10065G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 36A 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
FFSP2065B-F085

FFSP2065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

onsemi

660
FFSP2065B-F085数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DSA1-18D

DSA1-18D

DIODE AVALANCHE 1.8KV 2.3A

IXYS

262
DSA1-18D数据手册 - Radial Bulk Active Avalanche 1800 V 2.3A 1.34 V @ 7 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 700 µA @ 1800 V - - - Through Hole - -40°C ~ 150°C
FFSD2065B

FFSD2065B

DIODE SIL CARB 650V 23.4A DPAK

onsemi

1,771
FFSD2065B数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.4A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
IDK10G120C5XTMA1

IDK10G120C5XTMA1

DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1

Infineon Technologies

835
IDK10G120C5XTMA1数据手册 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 31.9A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 18 µA @ 1200 V 525pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
DSEI30-12A

DSEI30-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD

IXYS

205
DSEI30-12A数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 26A 2.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 750 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
IDW12G65C5XKSA1

IDW12G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3

Infineon Technologies

268
IDW12G65C5XKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
IDH12G65C5XKSA2

IDH12G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1

Infineon Technologies

850
IDH12G65C5XKSA2数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
STPSC15H12D

STPSC15H12D

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC

STMicroelectronics

2,768
STPSC15H12D数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
1N5806E3

1N5806E3

DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL

Microchip Technology

123
1N5806E3数据手册 - Axial Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
APT60D100BG

APT60D100BG

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Microchip Technology

839
APT60D100BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 280 ns 250 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
STBR6012W

STBR6012W

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

516
STBR6012W数据手册 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 1.3 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
DHG30I1200HA

DHG30I1200HA

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

IXYS

300
DHG30I1200HA数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.26 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
C3D10065I

C3D10065I

DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,325
C3D10065I数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 19A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
STTH6012WL

STTH6012WL

DIODE GP 1.2KV 60A DO247 LL

STMicroelectronics

946
STTH6012WL数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.25 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 125 ns 30 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 LL 175°C
STBR6012WY

STBR6012WY

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

112
STBR6012WY数据手册 ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 1.3 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STBR6008WY

STBR6008WY

DIODE GEN PURP 800V 60A DO247

STMicroelectronics

510
STBR6008WY数据手册 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 800 V 60A 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
GD30MPS06H

GD30MPS06H

DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

614
GD30MPS06H数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 49A - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 735pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-HFA25PB60-N3

VS-HFA25PB60-N3

DIODE GP 600V 25A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

385
VS-HFA25PB60-N3数据手册 HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 25A 1.7 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
IDD10SG60CXTMA2

IDD10SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3

Infineon Technologies

217
IDD10SG60CXTMA2数据手册 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 2.1 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 600 V 290pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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