单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
RURG3060-F085

RURG3060-F085

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

onsemi

194
RURG3060-F085数据手册 - TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 30A 1.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10065DY

STPSC10065DY

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

STMicroelectronics

1,016
STPSC10065DY数据手册 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STPSC10H065G-TR

STPSC10H065G-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

516
STPSC10H065G-TR数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
STPSC10065G2-TR

STPSC10065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,206
STPSC10065G2-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
DMA30E1800HA

DMA30E1800HA

DIODE GEN PURP 1.8KV 30A TO247

IXYS

300
DMA30E1800HA数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 30A 1.25 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
MSC010SDA120K

MSC010SDA120K

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220

Microchip Technology

178
MSC010SDA120K数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
DSI45-12A

DSI45-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD

IXYS

635
DSI45-12A数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 45A 1.28 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 18pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 175°C
C6D08065E

C6D08065E

DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

767
C6D08065E数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D08065G

C6D08065G

DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

653
C6D08065G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.4 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
IDH08G120C5XKSA1

IDH08G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV TO220-1

Infineon Technologies

285
IDH08G120C5XKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22.8A 1.95 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
SIC0860P-BP

SIC0860P-BP

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

Micro Commercial Co

4,804
SIC0860P-BP数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 36 µA @ 650 V 30pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STPSC10H065G2-TR

STPSC10H065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,278
STPSC10H065G2-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
CD5819

CD5819

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DIE

Microchip Technology

392
CD5819数据手册 - Die Bulk Active Schottky 40 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount Die -55°C ~ 125°C
VS-60APH03-N3

VS-60APH03-N3

DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

220
VS-60APH03-N3数据手册 FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 300 V 60A 1.45 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 42 ns 10 µA @ 300 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
VS-75EPU12L-N3

VS-75EPU12L-N3

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

813
VS-75EPU12L-N3数据手册 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 75A 2.55 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 265 ns 420 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DNA30EM2200PZ-TUB

DNA30EM2200PZ-TUB

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263HV

IXYS

441
DNA30EM2200PZ-TUB数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263HV -55°C ~ 175°C
STTH60RQ06W

STTH60RQ06W

DIODE GEN PURP 600V 60A DO247

STMicroelectronics

313
STTH60RQ06W数据手册 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 60A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 80 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
SCS206AJTLL

SCS206AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB

Rohm Semiconductor

2,842
SCS206AJTLL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.55 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 600 V 219pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
SCS306AJTLL

SCS306AJTLL

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL

Rohm Semiconductor

2,023
SCS306AJTLL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
GD10MPS12H

GD10MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

540
GD10MPS12H数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247-2 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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