单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
DSEP90-12AZ-TUB

DSEP90-12AZ-TUB

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO268AA

IXYS

156
DSEP90-12AZ-TUB数据手册 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 1200 V 90A 2.69 V @ 90 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 1 mA @ 1200 V 48pF @ 600V, 1MHz - - Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV) -55°C ~ 175°C
VS-88HF80

VS-88HF80

DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

152
VS-88HF80数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
1N2130AR

1N2130AR

DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5

GeneSiC Semiconductor

245
1N2130AR数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 60A 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
MSC020SDA120S

MSC020SDA120S

DIODE SIL CARB 1.2KV 49A D3PAK

Microchip Technology

869
MSC020SDA120S数据手册 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 49A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
VS-85HFR80

VS-85HFR80

DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

300
VS-85HFR80数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
STPSC40065CWY

STPSC40065CWY

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

STMicroelectronics

207
STPSC40065CWY数据手册 ECOPACK®2 TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 650 V 1250pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -40°C ~ 175°C
VS-80APF12-M3

VS-80APF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

384
VS-80APF12-M3数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
JANTX1N5190

JANTX1N5190

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

189
JANTX1N5190数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 2 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/424 Through Hole B, Axial -
SICPT40120Y-BP

SICPT40120Y-BP

DIODE SIC 1.2KV 40A TO247AD

Micro Commercial Co

1,774
SICPT40120Y-BP数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.6 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 2938pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DSEP60-12AR

DSEP60-12AR

DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247

IXYS

275
DSEP60-12AR数据手册 HiPerFRED™ ISOPLUS247™ Tube Active Standard 1200 V 60A 2.66 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 650 µA @ 1200 V - - - Through Hole ISOPLUS247™ (BR) -55°C ~ 175°C
S4D40120H

S4D40120H

DIODE SIC 1.2KV 128A TO247AC

SMC Diode Solutions

687
S4D40120H数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 128A 1.8 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 3227pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
S85Q

S85Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO5

GeneSiC Semiconductor

370
S85Q数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 85A 1.1 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 180°C
IDW40G65C5BXKSA2

IDW40G65C5BXKSA2

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

Infineon Technologies

240
IDW40G65C5BXKSA2数据手册 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
MSC050SDA070BCT

MSC050SDA070BCT

DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3

Microchip Technology

274
MSC050SDA070BCT数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 88A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 700 V 2034pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
122NQ030-1

122NQ030-1

DIODE SCHOTTKY 30V 120A PRM1-1

SMC Diode Solutions

298
122NQ030-1数据手册 - HALF-PAK Bulk Active Schottky 30 V 120A 490 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 30 V 7400pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount PRM1-1 (Half Pak Module) -55°C ~ 150°C
248NQ100-2

248NQ100-2

DIODE SCHOTTKY 100V 240A PRM1-1

SMC Diode Solutions

178
248NQ100-2数据手册 - HALF-PAK Bulk Active Schottky 100 V 240A 950 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 100 V 5277pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount PRM1-1 (Half Pak Module) -55°C ~ 175°C
242NQ030-1

242NQ030-1

DIODE SCHOTTKY 30V PRM1-1

SMC Diode Solutions

211
242NQ030-1数据手册 - HALF-PAK Bulk Active Schottky 30 V - 510 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 30 V 14800pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount PRM1-1 (Half Pak Module) -55°C ~ 150°C
UES1306HR2/TR

UES1306HR2/TR

DIODE GEN PURP 400V 5A B AXIAL

Microchip Technology

193
UES1306HR2/TR数据手册 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 5A 1 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 400 V - - - Through Hole B, Axial -
1N4004-E3/73

1N4004-E3/73

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

27,000
1N4004-E3/73数据手册 - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
NSVBAS116LT3G

NSVBAS116LT3G

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

onsemi

11,537
NSVBAS116LT3G数据手册 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 200mA 1.25 V @ 150 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 5 nA @ 75 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) -55°C ~ 150°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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