单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
SCS315AJTLL

SCS315AJTLL

DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL

Rohm Semiconductor

400
SCS315AJTLL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 75 µA @ 650 V 750pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
UJ3D1220K2

UJ3D1220K2

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2

Qorvo

327
UJ3D1220K2数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 1200 V 810pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSP3065A

FFSP3065A

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2L

onsemi

1,291
FFSP3065A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V 1705pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
STTH1506DPI

STTH1506DPI

DIODE GEN PURP 600V 15A DOP3I

STMicroelectronics

600
STTH1506DPI数据手册 - DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 15A 3.6 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole DOP3I 150°C (Max)
FFSP20120A

FFSP20120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220L

onsemi

734
FFSP20120A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-1N1184RA

VS-1N1184RA

DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

170
VS-1N1184RA数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 40A 1.3 V @ 126 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2.5 mA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
DUR60120W

DUR60120W

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

Littelfuse Inc.

20,857
DUR60120W数据手册 DUR TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 3.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 650 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
FFSH2065B-F085

FFSH2065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2

onsemi

157
FFSH2065B-F085数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
SCS210AJHRTLL

SCS210AJHRTLL

DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB

Rohm Semiconductor

894
SCS210AJHRTLL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.55 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 365pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
RFL60TZ6SGC13

RFL60TZ6SGC13

DIODE GEN PURP 650V 60A TO247GE

Rohm Semiconductor

601
RFL60TZ6SGC13数据手册 - TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 650 V 60A 1.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247GE 175°C
SCS215KGC17

SCS215KGC17

DIODE SIC 1.2KV 15A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

1,996
SCS215KGC17数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.6 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 1200 V 790pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
STPSC15H12G2-TR

STPSC15H12G2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK

STMicroelectronics

1,943
STPSC15H12G2-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
VS-3C16ET07S2L-M3

VS-3C16ET07S2L-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,594
VS-3C16ET07S2L-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.5 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 85 µA @ 650 V 700pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
SCS215AEGC11

SCS215AEGC11

DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247

Rohm Semiconductor

293
SCS215AEGC11数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 175°C
RFS60TZ6SGC13

RFS60TZ6SGC13

DIODE GEN PURP 650V 60A TO247GE

Rohm Semiconductor

566
RFS60TZ6SGC13数据手册 - TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 650 V 60A 2.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 10 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247GE 175°C
FFSH1065B-F085

FFSH1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO247

onsemi

1,685
FFSH1065B-F085数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S3D30065D1

S3D30065D1

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

255
S3D30065D1数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 84A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 2307pF @ 0V, 100MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
IDW20G65C5BXKSA2

IDW20G65C5BXKSA2

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3

Infineon Technologies

122
IDW20G65C5BXKSA2数据手册 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
121SPC045A

121SPC045A

DIODE SCHOTTKY 45V 120A SPD-3A

SMC Diode Solutions

340
121SPC045A数据手册 - SPD-3A Bulk Active Schottky 45 V 120A 660 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2.4 mA @ 45 V 4800pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SPD-3A -55°C ~ 175°C
S3D30065H

S3D30065H

DIODE SIL CARB 650V 84A TO247AC

SMC Diode Solutions

249
S3D30065H数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 84A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 2307pF @ 0V, 100MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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