单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N3889R

1N3889R

DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

150
1N3889R数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
SCS210KGC17

SCS210KGC17

DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

397
SCS210KGC17数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 550pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
FFSP4065BDN-F085

FFSP4065BDN-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-3

onsemi

756
FFSP4065BDN-F085数据手册 - TO-220-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-3 -55°C ~ 175°C
C4D10120H

C4D10120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 31.5A TO247

Wolfspeed, Inc.

1,226
C4D10120H数据手册 Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 31.5A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
SCS220AEGC11

SCS220AEGC11

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247

Rohm Semiconductor

345
SCS220AEGC11数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 175°C
FFSH20120A-F085

FFSH20120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

onsemi

398
FFSH20120A-F085数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S3D35065D1

S3D35065D1

DIODE SIL CARB 650V 35A TO247AD

SMC Diode Solutions

585
S3D35065D1数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 35A 1.7 V @ 35 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 45 µA @ 650 V 2000pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DHG30IM600PC-TUB

DHG30IM600PC-TUB

DIODE GEN PURP 600V 30A TO263

IXYS

1,361
DHG30IM600PC-TUB数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 600 V 30A 2.26 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V 16pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 150°C
VS-3C20ET07S2L-M3

VS-3C20ET07S2L-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

565
VS-3C20ET07S2L-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 845pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
SCS215AJHRTLL

SCS215AJHRTLL

DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB

Rohm Semiconductor

2,008
SCS215AJHRTLL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
MSC020SDA120K

MSC020SDA120K

DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO220-2

Microchip Technology

105
MSC020SDA120K数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 49A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-80APF10-M3

VS-80APF10-M3

DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

475
VS-80APF10-M3数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 1000 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
DHG30I600HA

DHG30I600HA

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

IXYS

296
DHG30I600HA数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.36 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
FFSH20120ADN-F085

FFSH20120ADN-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3

onsemi

304
FFSH20120ADN-F085数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
FFSH4065BDN-F085

FFSH4065BDN-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

onsemi

140
FFSH4065BDN-F085数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
LSIC2SD065D20A

LSIC2SD065D20A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

Littelfuse Inc.

742
LSIC2SD065D20A数据手册 Gen2 TO-220-2 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 45 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220AC -
S5D40120D

S5D40120D

1200V, 40A, TO-247AD, SIC SCHOTT

SMC Diode Solutions

1,800
S5D40120D数据手册 - TO-247-3 Tube Active - - - - - - - - - - Through Hole TO-247AD -
SCS220AJHRTLL

SCS220AJHRTLL

DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB

Rohm Semiconductor

2,697
SCS220AJHRTLL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
C4D15120H

C4D15120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2

Wolfspeed, Inc.

420
C4D15120H数据手册 Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 39A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSB20120A-F085

FFSB20120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 32A D2PAK

onsemi

2,137
FFSB20120A-F085数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 32A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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