单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
S3D10065E

S3D10065E

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

SMC Diode Solutions

2,500
S3D10065E数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
VS-3C12ET07T-M3

VS-3C12ET07T-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,048
VS-3C12ET07T-M3数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 65 µA @ 650 V 535pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSP1265A

FFSP1265A

DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L

onsemi

768
FFSP1265A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.75 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 665pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSD1065A

FFSD1065A

DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK

onsemi

6,468
FFSD1065A数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 18A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
FFSB1065B-F085

FFSB1065B-F085

DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK

onsemi

1,530
FFSB1065B-F085数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
S3D10065G

S3D10065G

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

SMC Diode Solutions

496
S3D10065G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
1N5617E3

1N5617E3

DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL

Microchip Technology

194
1N5617E3数据手册 - A, Axial Bag Active Standard 400 V 1A 800 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V 35pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
C6D08065Q-TR

C6D08065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 28A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

2,110
C6D08065Q-TR数据手册 - 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 28A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSP1065A

FFSP1065A

DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L

onsemi

1,506
FFSP1065A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
IDDD10G65C6XTMA1

IDDD10G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 29A HDSOP-10

Infineon Technologies

1,323
IDDD10G65C6XTMA1数据手册 CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 420 V 495pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
STPSC12065GY-TR

STPSC12065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK

STMicroelectronics

770
STPSC12065GY-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 750pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
SICF0860P-BP

SICF0860P-BP

DIODE SIL CARB 650V 8A ITO220AC

Micro Commercial Co

4,940
SICF0860P-BP数据手册 - TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 36 µA @ 650 V 30pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
STTH60RQ06WL

STTH60RQ06WL

DIODE GEN PURP 600V 60A DO247 LL

STMicroelectronics

475
STTH60RQ06WL数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2.95 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 80 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-247 LL 175°C (Max)
SICF1060P-BP

SICF1060P-BP

DIODE SIL CARB 650V 10A ITO220AC

Micro Commercial Co

4,983
SICF1060P-BP数据手册 - TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 44 µA @ 650 V 452pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSB0865A

FFSB0865A

DIODE SIC 650V 15.4A D2PAK-3

onsemi

800
FFSB0865A数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15.4A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
UJ3D1210K2

UJ3D1210K2

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

Qorvo

7,101
UJ3D1210K2数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N4247

1N4247

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

338
1N4247数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
RFV30TG6SGC9

RFV30TG6SGC9

DIODE GP 600V 30A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

822
RFV30TG6SGC9数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220ACFP 150°C
MUR60120B-BP

MUR60120B-BP

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD

Micro Commercial Co

986
MUR60120B-BP数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 15 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-E5PX6012LHN3

VS-E5PX6012LHN3

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

277
VS-E5PX6012LHN3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 50 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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