单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
FR40DR05

FR40DR05

DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,600
FR40DR05数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 40A 1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR40GR05

FR40GR05

DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,377
FR40GR05数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 40A 1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR40JR02

FR40JR02

DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,084
FR40JR02数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 40A 1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR40JR05

FR40JR05

DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,289
FR40JR05数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 40A 1.4 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
1N6622

1N6622

DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-PAK

Microchip Technology

3,196
1N6622数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 500 nA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6621

1N6621

DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL

Microchip Technology

5,112
1N6621数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 440 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 440 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N4949SM/TR

1N4949SM/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

5,973
1N4949SM/TR数据手册 * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
LSIC2SD120D15

LSIC2SD120D15

DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO263L

Littelfuse Inc.

4,530
LSIC2SD120D15数据手册 Gen2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 44A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 920pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
LSIC2SD120A20A

LSIC2SD120A20A

DIODE SIC 1.2KV 54.5A TO220L

Littelfuse Inc.

2,730
LSIC2SD120A20A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54.5A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 1142pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
1N6622E3

1N6622E3

DIODE A AXIAL

Microchip Technology

6,063
1N6622E3数据手册 - A, Axial Bulk Active - - - 1.6 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole A, Axial -
1N6622/TR

1N6622/TR

DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-PAK

Microchip Technology

4,123
1N6622/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 500 nA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6621/TR

1N6621/TR

DIODE GEN PURP 440V 1.2A

Microchip Technology

8,428
1N6621/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 440 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 440 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
SIDC59D170HX1SA2

SIDC59D170HX1SA2

DIODE GP 1.7KV 100A WAFER

Infineon Technologies

3,772
SIDC59D170HX1SA2数据手册 - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1700 V 100A 1.8 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 1700 V - - - Surface Mount Sawn on foil -55°C ~ 150°C
JANTXV1N5616

JANTXV1N5616

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Microchip Technology

7,575
JANTXV1N5616数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
JAN1N6631/TR

JAN1N6631/TR

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A

Microchip Technology

8,559
JAN1N6631/TR数据手册 - E, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1100 V 1.4A 1.6 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 2 µA @ 1100 V - Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 175°C
JAN1N6628/TR

JAN1N6628/TR

DIODE GEN PURP 660V 1.75A

Microchip Technology

2,073
JAN1N6628/TR数据手册 - E, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 660 V 1.75A 1.35 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 175°C
JAN1N6630/TR

JAN1N6630/TR

DIODE GEN PURP 900V 1.4A

Microchip Technology

6,688
JAN1N6630/TR数据手册 - E, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 900 V 1.4A 1.4 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 2 µA @ 900 V - Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 150°C
JANTXV1N5616/TR

JANTXV1N5616/TR

DIODE GEN PURP 400V 1A

Microchip Technology

9,219
JANTXV1N5616/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/427 Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
1N6547

1N6547

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Microchip Technology

8,033
1N6547数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N5829

1N5829

DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,508
1N5829数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 20 V 25A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -55°C ~ 150°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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