单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
JANTX1N5622US

JANTX1N5622US

DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A

Microchip Technology

3,979
JANTX1N5622US数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/427 Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
MNS1N6640US/TR

MNS1N6640US/TR

DIODE GP 50V 300MA D-5D

Microchip Technology

3,391
MNS1N6640US/TR数据手册 - SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 300mA 1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/609 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

DIODE GEN PURP 50V 3A D-5B

Microchip Technology

3,017
JANTXV1N5807US数据手册 - SQ-MELF, E Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N6546

1N6546

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Microchip Technology

2,911
1N6546数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N5826R

1N5826R

DIODE SCHOTTKY REV 20V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,508
1N5826R数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 20 V 15A 440 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5827R

1N5827R

DIODE SCHOTTKY REV 30V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,805
1N5827R数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 30 V 15A 470 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5828R

1N5828R

DIODE SCHOTTKY REV 40V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,502
1N5828R数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 40 V 15A 500 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
IDC15S120C5X1SA1

IDC15S120C5X1SA1

IC DIODE EMITTER CTLR WAFER

Infineon Technologies

5,095
IDC15S120C5X1SA1数据手册 - Die Bulk Active - - - - - - - - - - Surface Mount Sawn on foil -
UTR4340

UTR4340

DIODE GEN PURP 400V 4A AXIAL

Microsemi Corporation

6,971
UTR4340数据手册 - B, Axial Bag Active Standard 400 V 4A 1.1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 5 µA @ 400 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6857UR-1

1N6857UR-1

SCHOTTKY RECTIFIER

Microchip Technology

9,568
1N6857UR-1数据手册 - DO-213AA Bulk Active Schottky 16 V 150mA 750 mV @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 4.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
UTX215

UTX215

DIODE GEN PURP 150V 2A A AXIAL

Microchip Technology

8,929
UTX215数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 150 V 2A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 3 µA @ 150 V - - - Through Hole A, Axial -195°C ~ 175°C
UTR3340

UTR3340

DIODE GEN PURP 400V 3A B AXIAL

Microchip Technology

5,941
UTR3340数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 400 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 5 µA @ 400 V 240pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR3350

UTR3350

DIODE GEN PURP 500V 3A B AXIAL

Microchip Technology

8,917
UTR3350数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 500 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 350 ns 5 µA @ 500 V 200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR3305

UTR3305

DIODE GEN PURP 50V 3A B AXIAL

Microchip Technology

8,764
UTR3305数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 50 V 600pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR3360

UTR3360

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

7,071
UTR3360数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 5 µA @ 600 V 160pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR4305

UTR4305

DIODE GEN PURP 50V 4A B AXIAL

Microchip Technology

7,063
UTR4305数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 4A 1.1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 50 V 600pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR4310

UTR4310

DIODE GEN PURP 100V 4A B AXIAL

Microchip Technology

4,101
UTR4310数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 4A 1.1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 100 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR4320

UTR4320

DIODE GEN PURP 200V 4A B AXIAL

Microchip Technology

5,315
UTR4320数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 4A 1.1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 200 V 320pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR3310

UTR3310

DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIAL

Microchip Technology

4,275
UTR3310数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 100 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTX225

UTX225

DIODE GEN PURP 250V 2A A AXIAL

Microchip Technology

3,430
UTX225数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 250 V 2A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 3 µA @ 250 V - - - Through Hole A, Axial -195°C ~ 175°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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