单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N5830

1N5830

DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,442
1N5830数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 25 V 25A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -55°C ~ 150°C
1N5831

1N5831

DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,684
1N5831数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 35 V 25A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -55°C ~ 150°C
1N6095

1N6095

DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,098
1N6095数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 30 V 25A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -55°C ~ 150°C
1N6096

1N6096

DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,438
1N6096数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 40 V 25A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -55°C ~ 150°C
JANTXV1N3595US

JANTXV1N3595US

DIODE GEN PURP 125V 4A B SQ-MELF

Microchip Technology

5,897
JANTXV1N3595US数据手册 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 125 V 4A 1 V @ 200 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3 µs - - Military MIL-PRF-19500/241 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JANTX1N5420US/TR

JANTX1N5420US/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

Microchip Technology

4,171
JANTX1N5420US/TR数据手册 - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N6623US

1N6623US

DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Microchip Technology

9,166
1N6623US数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 880 V 1A 1.55 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 500 nA @ 880 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount A-MELF -65°C ~ 150°C
1N6623U

1N6623U

DIODE GP 800V 1.5A A SQ-MELF

Microchip Technology

7,316
1N6623U数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 800 V 1.5A 1.8 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 500 nA @ 800 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N6622E3/TR

1N6622E3/TR

DIODE A AXIAL

Microchip Technology

7,082
1N6622E3/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active - - - 1.6 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole A, Axial -
GATELEAD28134XPSA1

GATELEAD28134XPSA1

DUMMY 57

Infineon Technologies

3,463
GATELEAD28134XPSA1数据手册 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
IDC73D120T6MX1SA2

IDC73D120T6MX1SA2

DIODE GP 1.2KV 150A WAFER

Infineon Technologies

2,069
IDC73D120T6MX1SA2数据手册 - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 150A 2.05 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 26 µA @ 1200 V - - - Surface Mount Sawn on foil -40°C ~ 175°C
122NQ030R

122NQ030R

DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,957
122NQ030R数据手册 - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 30 V 120A 490 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 30 V 7400pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
FFSH5065A

FFSH5065A

DIODE SIL CARB 650V 60A TO247-2

onsemi

5,579
FFSH5065A数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 60A 1.75 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 2530pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
120NQ045

120NQ045

DIODE SCHOTTKY 45V 120A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,024
120NQ045数据手册 - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 45 V 120A 570 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 45 V 5200pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
CDLL6858

CDLL6858

DIODE SCHOTTKY 50V 75MA DO213AA

Microchip Technology

5,382
CDLL6858数据手册 - DO-213AA Bulk Active Schottky 50 V 75mA 650 mV @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 4.5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
1N6858UR-1

1N6858UR-1

SCHOTTKY RECTIFIER

Microchip Technology

8,841
1N6858UR-1数据手册 - DO-213AA Bulk Active Schottky 50 V 75mA 650 mV @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 4.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
CD6760

CD6760

DIODE SCHOTTKY 80V 1A DIE

Microchip Technology

2,059
CD6760数据手册 - Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 80 V 1A 750 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 80 V - Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount Die -55°C ~ 125°C
121NQ045

121NQ045

DIODE SCHOTTKY 45V 120A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,771
121NQ045数据手册 - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 45 V 120A 650 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 45 V 5200pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
1N6623US/TR

1N6623US/TR

DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Microchip Technology

4,678
1N6623US/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 880 V 1A 1.55 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 500 nA @ 880 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount A-MELF -65°C ~ 150°C
1N6623U/TR

1N6623U/TR

DIODE GP 800V 1.5A A SQ-MELF

Microchip Technology

4,078
1N6623U/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1.5A 1.8 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 500 nA @ 800 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 175°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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