单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
VS-30EPH03-N3

VS-30EPH03-N3

DIODE GP 300V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

973
VS-30EPH03-N3数据手册 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 300 V 30A 1.25 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 38 ns 60 µA @ 300 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -65°C ~ 175°C
GP3D005A170B

GP3D005A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 21A TO247-2

SemiQ

1,517
GP3D005A170B数据手册 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 21A 1.65 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 347pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
RHRG5060-F085

RHRG5060-F085

DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2

onsemi

294
RHRG5060-F085数据手册 - TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 50A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-65EPS16LHM3

VS-65EPS16LHM3

DIODE GEN PURP 1.6KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

350
VS-65EPS16LHM3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 65A 1.17 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
STPSC20065GY-TR

STPSC20065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK

STMicroelectronics

1,785
STPSC20065GY-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 600 V 1250pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N6642US

1N6642US

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

1,066
1N6642US数据手册 - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
1N6642U

1N6642U

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microsemi Corporation

445
1N6642U数据手册 - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 75 V 300mA 800 mV @ 10 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 µA @ 75 V - - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
CDLL5819/TR

CDLL5819/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AA

Microchip Technology

256
CDLL5819/TR数据手册 - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 125°C
IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10

Infineon Technologies

4,841
IDDD16G65C6XTMA1数据手册 CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 43A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
IDH16G65C6XKSA1

IDH16G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 34A TO220-2

Infineon Technologies

3,011
IDH16G65C6XKSA1数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 34A 1.35 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
1N5418

1N5418

DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

384
1N5418数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 400 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 400 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5809

1N5809

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Microchip Technology

210
1N5809数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5711-1

JANTX1N5711-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Microchip Technology

132
JANTX1N5711-1数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 70 V 33mA 410 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
VS-60EPS16-M3

VS-60EPS16-M3

DIODE GP 1.6KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

668
VS-60EPS16-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 60A 1.15 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
1N5811US

1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

815
1N5811US数据手册 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
DSEI60-02A

DSEI60-02A

DIODE GEN PURP 200V 69A TO247AD

IXYS

137
DSEI60-02A数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 69A 1.08 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
1N6638US

1N6638US

DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5D

Microchip Technology

541
1N6638US数据手册 - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 125 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4.5 ns 500 nA @ 125 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
C4D10120E

C4D10120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

5,722
C4D10120E数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1

IDH20G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2

Infineon Technologies

1,342
IDH20G65C6XKSA1数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 41A 1.35 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
C4D08120A

C4D08120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

711
C4D08120A数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 1.8 V @ 7.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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