单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
C3D06060F

C3D06060F

DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2

Wolfspeed, Inc.

1,323
C3D06060F数据手册 Z-Rec® TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 11.5A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 294pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-F2 -55°C ~ 175°C
GD10MPS12E

GD10MPS12E

DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

9,841
GD10MPS12E数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 29A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 1200 V 367pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
VS-20ETF12S-M3

VS-20ETF12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,217
VS-20ETF12S-M3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
IDM05G120C5XTMA1

IDM05G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2

Infineon Technologies

1,779
IDM05G120C5XTMA1数据手册 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 175°C
VS-8EWF12STR-M3

VS-8EWF12STR-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,847
VS-8EWF12STR-M3数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
VS-8EWF06STR-M3

VS-8EWF06STR-M3

DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,511
VS-8EWF06STR-M3数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 8A 1.2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
VS-8EWF12S-M3

VS-8EWF12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,812
VS-8EWF12S-M3数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 1200 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
APT60D120BG

APT60D120BG

DIODE GP 1.2KV 60A TO247

Microchip Technology

955
APT60D120BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
APT60S20BG

APT60S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Microchip Technology

538
APT60S20BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 75A 900 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 1 mA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
GD10MPS12A

GD10MPS12A

DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

3,529
GD10MPS12A数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 25A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 1200 V 367pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10H065GY-TR

STPSC10H065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,273
STPSC10H065GY-TR数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
VS-20ETF06FP-M3

VS-20ETF06FP-M3

DIODE GP 600V 20A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,061
VS-20ETF06FP-M3数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 1.67 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-EPU6006LHN3

VS-EPU6006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

895
VS-EPU6006LHN3数据手册 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DSI45-16A

DSI45-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 45A TO247AD

IXYS

978
DSI45-16A数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 45A 1.28 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 175°C
1N5712-1

1N5712-1

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

1,793
1N5712-1数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
IDH05G120C5XKSA1

IDH05G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-1

Infineon Technologies

899
IDH05G120C5XKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 1200 V 301pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-90APS12L-M3

VS-90APS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,295
VS-90APS12L-M3数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
1N5615

1N5615

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

270
1N5615数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
STPSC10H065B-TR

STPSC10H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

STMicroelectronics

12,231
STPSC10H065B-TR数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
1N5417

1N5417

DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL

Microchip Technology

1,183
1N5417数据手册 - Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 3839404142434445...2381Next»

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

萬通电子有限公司

搜索

萬通电子有限公司

产品

萬通电子有限公司

电话

萬通电子有限公司

用户

萬通电子有限公司 萬通电子有限公司 萬通电子有限公司
WHATSAPP

+86 13760362468

萬通电子有限公司