单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UGS30JH

UGS30JH

DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB

Taiwan Semiconductor Corporation

808
UGS30JH数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 1 µA @ 600 V 128pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 150°C
VS-EPX3007L-N3

VS-EPX3007L-N3

DIODE GEN PURP 650V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

499
VS-EPX3007L-N3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 30A 2.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 30 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
IDP18E120XKSA1

IDP18E120XKSA1

DIODE GP 1.2KV 31A TO220-2-2

Infineon Technologies

423
IDP18E120XKSA1数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 31A 2.15 V @ 18 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 195 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 150°C
S3D10065A

S3D10065A

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

SMC Diode Solutions

1,964
S3D10065A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D06065G

S3D06065G

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK

SMC Diode Solutions

769
S3D06065G数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 8 µA @ 650 V 382pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
VS-8EWS12S-M3

VS-8EWS12S-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,945
VS-8EWS12S-M3数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 1200 V 8A 1.1 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
RFNL5TJ6SFHGC9

RFNL5TJ6SFHGC9

DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

2,739
RFNL5TJ6SFHGC9数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 5A 1.3 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 130 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220ACFP 150°C
RFUH20NS4STL

RFUH20NS4STL

DIODE GEN PURP 430V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

944
RFUH20NS4STL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 430 V 20A 1.7 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 10 µA @ 430 V - - - Surface Mount LPDS 150°C
RFN20NS4STL

RFN20NS4STL

DIODE GEN PURP 430V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

883
RFN20NS4STL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 430 V 20A 1.55 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 430 V - - - Surface Mount LPDS 150°C
DLA20IM800PC-TUB

DLA20IM800PC-TUB

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AA

IXYS

1,039
DLA20IM800PC-TUB数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 800 V 20A 1.2 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V 4pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
RF505TF6SC9

RF505TF6SC9

DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM

Rohm Semiconductor

430
RF505TF6SC9数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 5A 1.7 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220NFM 150°C
C3D03065E

C3D03065E

DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

2,356
C3D03065E数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11A 1.8 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 155pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
S4D05120A

S4D05120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC

SMC Diode Solutions

853
S4D05120A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
STTH12T06DI

STTH12T06DI

DIODE GP 600V 12A TO220AC INS

STMicroelectronics

548
STTH12T06DI数据手册 - TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active Standard 600 V 12A 2.95 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
VS-E5TX2112S2LHM3

VS-E5TX2112S2LHM3

20A, 1200V, "X" SERIES GEN 5 FRE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

835
VS-E5TX2112S2LHM3数据手册 FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 20A 3.6 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 50 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
IDP08E65D2XKSA1

IDP08E65D2XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2

Infineon Technologies

2
IDP08E65D2XKSA1数据手册 - TO-220-2 Bulk Active Standard 650 V 8A 2.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220-2 -40°C ~ 175°C
STTH30RQ06DY

STTH30RQ06DY

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

STMicroelectronics

998
STTH30RQ06DY数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
DMA10P1200UZ-TRL

DMA10P1200UZ-TRL

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO252AA

IXYS

1,673
DMA10P1200UZ-TRL数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 10A 1.55 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V 1pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
VS-E4PH6006LHN3

VS-E4PH6006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

456
VS-E4PH6006LHN3数据手册 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 68 ns 50 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-3C08ET07T-M3

VS-3C08ET07T-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,934
VS-3C08ET07T-M3数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 45 µA @ 650 V 340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 401402403404405406407408...2381Next»

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

萬通电子有限公司

搜索

萬通电子有限公司

产品

萬通电子有限公司

电话

萬通电子有限公司

用户

萬通电子有限公司 萬通电子有限公司 萬通电子有限公司
WHATSAPP

+86 13760362468

萬通电子有限公司