单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
MURHD560W1T4G

MURHD560W1T4G

DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

onsemi

988
MURHD560W1T4G数据手册 MEGAHERTZ™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 5A 2.7 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 600 V - - - Surface Mount DPAK -65°C ~ 175°C
RFNL15TJ6SGC9

RFNL15TJ6SGC9

DIODE GP 600V 15A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

388
RFNL15TJ6SGC9数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 15A 1.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220ACFP 150°C
VS-E5TX3006THN3

VS-E5TX3006THN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

464
VS-E5TX3006THN3数据手册 FRED Pt® TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 41 ns 20 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
S3D06065A

S3D06065A

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

SMC Diode Solutions

949
S3D06065A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 8 µA @ 650 V 382pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
VS-10ETS08FP-M3

VS-10ETS08FP-M3

DIODE GP 800V 10A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

879
VS-10ETS08FP-M3数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 800 V 10A 1.1 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-20ETS12THM3

VS-20ETS12THM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,498
VS-20ETS12THM3数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 20A 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
RF1005TF6SC9

RF1005TF6SC9

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Rohm Semiconductor

2,163
RF1005TF6SC9数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220NFM 150°C
VS-E5TX2112S2L-M3

VS-E5TX2112S2L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,495
VS-E5TX2112S2L-M3数据手册 FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 20A 3.6 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
IDK04G65C5XTMA2

IDK04G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2

Infineon Technologies

803
IDK04G65C5XTMA2数据手册 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 670 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
VS-AZH3106FP-M3

VS-AZH3106FP-M3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO3PF

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

250
VS-AZH3106FP-M3数据手册 FRED Pt® SC-94 Tube Active Standard 600 V 30A 2.15 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 10 µA @ 600 V 19pF @ 600V, 1MHz - - Through Hole TO-3PF -55°C ~ 175°C
RFUH10TB4SNZC9

RFUH10TB4SNZC9

DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM

Rohm Semiconductor

731
RFUH10TB4SNZC9数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 430 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 10 µA @ 430 V - - - Through Hole TO-220NFM 150°C
D4025LTP

D4025LTP

DIODE GP 400V 15.9A TO220AB-L

Littelfuse Inc.

1,999
D4025LTP数据手册 - TO-220-3 Isolated Tab Tube Active Standard 400 V 15.9A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 10 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-220AB-L -40°C ~ 125°C
VS-3C04ET07T-M3

VS-3C04ET07T-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,948
VS-3C04ET07T-M3数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.5 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 175pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-20ETS08-M3

VS-20ETS08-M3

DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,992
VS-20ETS08-M3数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 800 V 20A 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
CDBDSC5650-G

CDBDSC5650-G

DIODE SIL CARB 650V 21.5A DPAK

Comchip Technology

2,464
CDBDSC5650-G数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 21.5A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 424pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
STTH8T06DI

STTH8T06DI

DIODE GP 600V 8A TO220AC INS

STMicroelectronics

358
STTH8T06DI数据手册 - TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active Standard 600 V 8A 2.95 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
RFUH20NS3STL

RFUH20NS3STL

DIODE GEN PURP 350V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

1,119
RFUH20NS3STL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 350 V 20A 1.5 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 10 µA @ 350 V - - - Surface Mount LPDS 150°C
STTH8ST06DI

STTH8ST06DI

DIODE GP 600V 8A TO220AC INS

STMicroelectronics

710
STTH8ST06DI数据手册 - TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active Standard 600 V 8A 3.4 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 17 ns 6 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
STTH30RQ06D

STTH30RQ06D

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

STMicroelectronics

419
STTH30RQ06D数据手册 ECOPACK® TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
UGS20JH

UGS20JH

DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB

Taiwan Semiconductor Corporation

130
UGS20JH数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 20A 2 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 1 µA @ 600 V 94.5pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 150°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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