单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
STTH30RQ06L2Y-TR

STTH30RQ06L2Y-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A HU3PAK

STMicroelectronics

823
STTH30RQ06L2Y-TR数据手册 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount HU3PAK -40°C ~ 175°C
IDK12G65C5XTMA2

IDK12G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 12A TO263-2

Infineon Technologies

1,257
IDK12G65C5XTMA2数据手册 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.8 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 360pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
1N5614US

1N5614US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

250
1N5614US数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
IDL12G65C5XUMA2

IDL12G65C5XUMA2

DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4

Infineon Technologies

6,146
IDL12G65C5XUMA2数据手册 CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
DSEI36-06AS-TUB

DSEI36-06AS-TUB

DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AA

IXYS

1,403
DSEI36-06AS-TUB数据手册 FRED TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 600 V 37A 1.6 V @ 37 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 150°C
C4D05120E-TR

C4D05120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

1,520
C4D05120E-TR数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
1N5550

1N5550

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

262
1N5550数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 200 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
STTH75S12W

STTH75S12W

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DO247

STMicroelectronics

295
STTH75S12W数据手册 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 75A 3.2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
VS-40EPS12-M3

VS-40EPS12-M3

DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

343
VS-40EPS12-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 40A 1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
FFSP2065A

FFSP2065A

DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2

onsemi

3,918
FFSP2065A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DNA30E2200PZ-TRL

DNA30E2200PZ-TRL

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

IXYS

3,257
DNA30E2200PZ-TRL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 150°C
C3D08060G

C3D08060G

DIODE SIL CARB 600V 24A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

205
C3D08060G数据手册 Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
VS-80APS12-M3

VS-80APS12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,977
VS-80APS12-M3数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 80A 1.17 V @ 80 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
IDWD150E65E7XKSA1

IDWD150E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 200A TO247-2

Infineon Technologies

328
IDWD150E65E7XKSA1数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 200A 2.1 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 97 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
DPG60IM300PC-TRL

DPG60IM300PC-TRL

DIODE GEN PURP 300V 60A TO263AA

IXYS

1,956
DPG60IM300PC-TRL数据手册 HiPerFRED²™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 60A 1.43 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 1 µA @ 300 V - - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
FFSM2065B

FFSM2065B

DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN

onsemi

2,096
FFSM2065B数据手册 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.4A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
STPSC10H12G2-TR

STPSC10H12G2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

570
STPSC10H12G2-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
VS-60EPS08-M3

VS-60EPS08-M3

DIODE GP 800V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,185
VS-60EPS08-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 800 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPS12-M3

VS-60EPS12-M3

DIODE GP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

408
VS-60EPS12-M3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
FFSB2065BDN-F085

FFSB2065BDN-F085

DIODE SIC 650V 23.6A D2PAK-3

onsemi

659
FFSB2065BDN-F085数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.6A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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