单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
C3D08065E

C3D08065E

DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

2,740
C3D08065E数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
IDK10G65C5XTMA2

IDK10G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 10A TO263-2

Infineon Technologies

1,857
IDK10G65C5XTMA2数据手册 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10H12GY-TR

STPSC10H12GY-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,893
STPSC10H12GY-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
IDL10G65C5XUMA2

IDL10G65C5XUMA2

DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4

Infineon Technologies

151
IDL10G65C5XUMA2数据手册 CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
VS-65EPS12LHM3

VS-65EPS12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,025
VS-65EPS12LHM3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 65A 1.12 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
STPSC10H12B2-TR

STPSC10H12B2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DPAK HV

STMicroelectronics

4,653
STPSC10H12B2-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK HV -40°C ~ 175°C
IDH10G65C5XKSA2

IDH10G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1

Infineon Technologies

1,046
IDH10G65C5XKSA2数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
STTH6010W

STTH6010W

DIODE GEN PURP 1KV 60A DO247

STMicroelectronics

787
STTH6010W数据手册 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1000 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STPSC12065G2-TR

STPSC12065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK

STMicroelectronics

1,155
STPSC12065G2-TR数据手册 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
DSEI30-06A

DSEI30-06A

DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD

IXYS

821
DSEI30-06A数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 37A 1.6 V @ 37 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
JANTX1N5806

JANTX1N5806

DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Microchip Technology

149
JANTX1N5806数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
GD30MPS06A

GD30MPS06A

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

1,744
GD30MPS06A数据手册 SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 175°C
DNA30EM2200PZ-TRL

DNA30EM2200PZ-TRL

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263AA

IXYS

1,151
DNA30EM2200PZ-TRL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 150°C
STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,955
STPSC10H12G-TR数据手册 ECOPACK® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N5804

1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Microchip Technology

299
1N5804数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
C3D10065E

C3D10065E

DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

7,911
C3D10065E数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 32A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 460.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D10065Q-TR

C6D10065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

1,573
C6D10065Q-TR数据手册 - 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 39A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
C6D10065E

C6D10065E

DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,633
C6D10065E数据手册 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 35A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
APT60S20SG

APT60S20SG

DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Microchip Technology

187
APT60S20SG数据手册 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Schottky 200 V 75A 900 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 1 mA @ 200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 150°C
VS-HFA15PB60-N3

VS-HFA15PB60-N3

DIODE GP 600V 15A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

194
VS-HFA15PB60-N3数据手册 HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 15A 1.7 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
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单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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