单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UTR2320

UTR2320

DIODE GEN PURP 200V 2A B AXIAL

Microchip Technology

7,754
UTR2320数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 2A 1.1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 200 V 320pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR2360

UTR2360

DIODE GEN PURP 600V 2A B AXIAL

Microchip Technology

5,139
UTR2360数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 2A 1.1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 5 µA @ 600 V 160pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR2310

UTR2310

DIODE GEN PURP 100V 2A B AXIAL

Microchip Technology

8,431
UTR2310数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 2A 1.1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 100 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UTR2305

UTR2305

DIODE GEN PURP 50V 2A B AXIAL

Microchip Technology

8,740
UTR2305数据手册 - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 2A 1.1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 5 µA @ 50 V 600pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N6544/TR

1N6544/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

8,409
1N6544/TR数据手册 * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
JANTX1N6620/TR

JANTX1N6620/TR

DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Microchip Technology

5,824
JANTX1N6620/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 220 V 10pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/585 Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N5826

1N5826

DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

9,894
1N5826数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 20 V 15A 440 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5827

1N5827

DIODE SCHOTTKY 30V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,997
1N5827数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 30 V 15A 470 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5828

1N5828

DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,303
1N5828数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 40 V 15A 500 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
VS-86HFR160

VS-86HFR160

DIODE GP REV 1.6KV 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,525
VS-86HFR160数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 85A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4.5 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 150°C
1N6625

1N6625

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Microchip Technology

4,716
1N6625数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 1100 V 1A 1.75 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 1 µA @ 1100 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
DS35-08A

DS35-08A

DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB

IXYS

3,007
DS35-08A数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Box Obsolete Standard 800 V 49A 1.55 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
DSI35-08A

DSI35-08A

DIODE GEN PURP 800V 49A DO203AB

IXYS

6,889
DSI35-08A数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Box Obsolete Standard 800 V 49A 1.55 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
IDY10S120XKSA1

IDY10S120XKSA1

DIODE SIC 1.2KV 5A TO247HC-3

Infineon Technologies

7,422
IDY10S120XKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-247-3 Variant Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247HC-3 -55°C ~ 175°C
JANTXV1N5615/TR

JANTXV1N5615/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A

Microchip Technology

6,443
JANTXV1N5615/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N6623U

JAN1N6623U

DIODE GEN PURP 800V 1A D-5A

Microsemi Corporation

7,951
JAN1N6623U数据手册 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 800 V 1A 1.55 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount D-5A -65°C ~ 150°C
1N6626US/TR

1N6626US/TR

DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Microchip Technology

2,427
1N6626US/TR数据手册 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount A-MELF -65°C ~ 150°C
1N6625/TR

1N6625/TR

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A

Microchip Technology

2,280
1N6625/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1100 V 1A 1.75 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 1 µA @ 1100 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6624/TR

1N6624/TR

DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Microchip Technology

2,120
1N6624/TR数据手册 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 990 V 1A 1.55 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 500 nA @ 900 V 10pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
1N6626UE3

1N6626UE3

DIODE GP 200V 1.75A E AXIAL

Microchip Technology

9,762
1N6626UE3数据手册 - E, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 200 V - - - Through Hole E, Axial -65°C ~ 150°C

分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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