单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N4247

1N4247

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

338
1N4247数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N3595UR-1

1N3595UR-1

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

624
1N3595UR-1数据手册 - DO-213AA Bulk Active Standard 125 V 150mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
APT15DQ120BHBG

APT15DQ120BHBG

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247-3

Microchip Technology

101
APT15DQ120BHBG数据手册 - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 15A 3.5 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 240 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
MSC030SDA070K

MSC030SDA070K

DIODE SIL CARB 700V 30A TO220-2

Microchip Technology

119
MSC030SDA070K数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 30A 1.5 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
MSC015SDA120B

MSC015SDA120B

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO247

Microchip Technology

134
MSC015SDA120B数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
JANTX1N3595UR-1

JANTX1N3595UR-1

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

141
JANTX1N3595UR-1数据手册 - DO-213AA Bulk Active Standard 125 V 150mA 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - Military MIL-S-19500-241 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
MSC020SDA120K

MSC020SDA120K

DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO220-2

Microchip Technology

105
MSC020SDA120K数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 49A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UES1104

UES1104

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

105
UES1104数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
MNS1N6627US/TR

MNS1N6627US/TR

DIODE GEN PURP 440V 1.75A E-MELF

Microchip Technology

483
MNS1N6627US/TR数据手册 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 440 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 440 V - - - Surface Mount E-MELF -65°C ~ 150°C
1N4153UR/TR

1N4153UR/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

610
1N4153UR/TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
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