单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
APT60DQ100BG

APT60DQ100BG

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Microchip Technology

244
APT60DQ100BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 255 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
APT40DQ100BG

APT40DQ100BG

DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247

Microchip Technology

392
APT40DQ100BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 40A 3 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
1N649-1/TR

1N649-1/TR

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Microchip Technology

206
1N649-1/TR数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 600 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
APT15D100BG

APT15D100BG

DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Microchip Technology

283
APT15D100BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 15A 2.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 260 ns 250 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
APT30D40BG

APT30D40BG

DIODE GP 400V 30A TO247

Microchip Technology

345
APT30D40BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 32 ns 250 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
UPS840/TR13

UPS840/TR13

DIODE SCHOTTKY 40V 8A POWERMITE3

Microchip Technology

1,835
UPS840/TR13数据手册 - Powermite®3 Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 8A 450 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 40 V - - - Surface Mount Powermite 3 -55°C ~ 125°C
JANTX1N3595-1

JANTX1N3595-1

DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Microchip Technology

174
JANTX1N3595-1数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 125 V 150mA 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - Military MIL-S-19500-241 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N4245

1N4245

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

264
1N4245数据手册 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
MSC010SDA070B

MSC010SDA070B

DIODE SIL CARBIDE 700V 24A TO247

Microchip Technology

122
MSC010SDA070B数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 24A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 700 V 353pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
MSC010SDA120K

MSC010SDA120K

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220

Microchip Technology

178
MSC010SDA120K数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
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