单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
65DN06B02ELEMXPSA1

65DN06B02ELEMXPSA1

DIODE GP 600V 15130A D-ELEM-1

Infineon Technologies

19
65DN06B02ELEMXPSA1数据手册 - DO-200AC, K-PUK Bulk Active Standard 600 V 15130A 890 mV @ 8000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 600 V - - - Clamp On BG-D-ELEM-1 180°C (Max)
IDH06SG60CXKSA2

IDH06SG60CXKSA2

DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-1

Infineon Technologies

37
IDH06SG60CXKSA2数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 6A 2.3 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
46DN06B02ELEMXPSA1

46DN06B02ELEMXPSA1

DIODE GP 600V 10450A D-ELEM-1

Infineon Technologies

5
46DN06B02ELEMXPSA1数据手册 - DO-200AC, K-PUK Bulk Active Standard 600 V 10450A 980 mV @ 6000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 600 V - - - Clamp On BG-D-ELEM-1 180°C (Max)
IDYH10G200C5XKSA1

IDYH10G200C5XKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

47
IDYH10G200C5XKSA1数据手册 CoolSiC™ TO-247-4 Variant Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 2000 V 35A 1.75 V @ 10 A - - 150 µA @ 2000 V 1140pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole PG-TO247-U04 -55°C ~ 175°C
IDYH25G200C5XKSA1

IDYH25G200C5XKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

56
IDYH25G200C5XKSA1数据手册 CoolSiC™ TO-247-4 Variant Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 2000 V 77A 1.75 V @ 25 A - - 375 µA @ 2000 V 1140pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole PG-TO247-U04 -55°C ~ 175°C
IDYH40G200C5XKSA1

IDYH40G200C5XKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

66
IDYH40G200C5XKSA1数据手册 CoolSiC™ TO-247-4 Variant Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 2000 V 114A 1.75 V @ 40 A - - 600 µA @ 2000 V 4550pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole PG-TO247-U04 -55°C ~ 175°C
ND89N12KHPSA1

ND89N12KHPSA1

DIODE GEN PURP 1.2KV 89A PB20-1

Infineon Technologies

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ND89N12KHPSA1数据手册 - Module Tray Active Standard 1200 V 89A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount BG-PB20-1 -40°C ~ 135°C
ND89N16KHPSA1

ND89N16KHPSA1

DIODE GEN PURP 1.6KV 89A PB20-1

Infineon Technologies

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ND89N16KHPSA1数据手册 - Module Tray Active Standard 1600 V 89A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 1600 V - - - Chassis Mount BG-PB20-1 -40°C ~ 135°C
D1800N48TVFXPSA1

D1800N48TVFXPSA1

DIODE GEN PURP 4.8KV 1800A

Infineon Technologies

8
D1800N48TVFXPSA1数据手册 - DO-200AC, K-PUK Tray Active Standard 4800 V 1800A 1.32 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 mA @ 4800 V - - - Clamp On - -40°C ~ 160°C
DZ1070N22KHPSA3

DZ1070N22KHPSA3

DIODE GP 2.2KV 1100A MODULE

Infineon Technologies

2
DZ1070N22KHPSA3数据手册 - Module Tray Active Standard 2200 V 1100A 1.11 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 150 mA @ 2200 V - - - Chassis Mount Module -40°C ~ 150°C
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