单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
IDH08G65C6XKSA1

IDH08G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

Infineon Technologies

36
IDH08G65C6XKSA1数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.35 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 27 µA @ 420 V 401pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
IDH12G65C6XKSA1

IDH12G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2

Infineon Technologies

74
IDH12G65C6XKSA1数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.35 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 420 V 594pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
D970N06TXPSA1

D970N06TXPSA1

DIODE GEN PURP 600V 970A

Infineon Technologies

2
D970N06TXPSA1数据手册 - DO-200AA, A-PUK Tray Active Standard 600 V 970A 970 mV @ 750 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 600 V - - - Clamp On - -40°C ~ 180°C
D950N18TXPSA1

D950N18TXPSA1

DIODE GEN PURP 1.8KV 950A

Infineon Technologies

18
D950N18TXPSA1数据手册 - DO-200AA, A-PUK Bulk Active Standard 1800 V 950A 1.12 V @ 650 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 1800 V - - - Clamp On - -40°C ~ 180°C
D1230N18TXPSA1

D1230N18TXPSA1

DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A

Infineon Technologies

10
D1230N18TXPSA1数据手册 - DO-200AA, A-PUK Tray Active Standard 1800 V 1230A 1.063 V @ 800 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 1800 V - - - Clamp On - -40°C ~ 180°C
ND171N18KHPSA2

ND171N18KHPSA2

DIODE GEN PURP 1.8KV 171A

Infineon Technologies

8
ND171N18KHPSA2数据手册 - Module Tray Active Standard 1800 V 171A 1.26 V @ 500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 1800 V - - - Chassis Mount - 150°C
38DN06B02ELEMXPSA1

38DN06B02ELEMXPSA1

DIODE GP 600V 5140A D-ELEM-1

Infineon Technologies

17
38DN06B02ELEMXPSA1数据手册 - DO-200AC, K-PUK Bulk Active Standard 600 V 5140A 960 mV @ 4500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 600 V - - - Clamp On BG-D-ELEM-1 180°C (Max)
DZ600N18KHPSA1

DZ600N18KHPSA1

DIODE GEN PURP 1.8KV 600A MODULE

Infineon Technologies

20
DZ600N18KHPSA1数据手册 - Module Tray Active Standard 1800 V 600A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 1800 V - - - Chassis Mount Module -40°C ~ 150°C
IDP12E120XKSA1

IDP12E120XKSA1

DIODE GP 1.2KV 28A TO220-2-2

Infineon Technologies

63
IDP12E120XKSA1数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 28A 2.15 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 150°C
DZ435N40KHPSA1

DZ435N40KHPSA1

DIODE GEN PURP 4KV 700A MODULE

Infineon Technologies

4
DZ435N40KHPSA1数据手册 - Module Tray Active Standard 4000 V 700A 1.71 V @ 1200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 4000 V - - - Chassis Mount Module -40°C ~ 150°C
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