二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
RJU60C3WDPP-M0#T2

RJU60C3WDPP-M0#T2

DIODE ARR GP 600V 60A TO220FP2L

Renesas Electronics Corporation

5,070
RJU60C3WDPP-M0#T2数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 60A (DC) 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 2 µA @ 600 V 150°C (Max) - - Through Hole TO-220FP-2L
RJS6004WDPK-00#T0

RJS6004WDPK-00#T0

DIODE ARRAY SIC 600V 10A TO-3P

Renesas Electronics Corporation

6,737
RJS6004WDPK-00#T0数据手册 - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A (DC) 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15 ns 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-3P
RJS6005WDPK-00#T0

RJS6005WDPK-00#T0

DIODE ARRAY SIC 600V 15A TO-3P

Renesas Electronics Corporation

5,995
RJS6005WDPK-00#T0数据手册 - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 15A (DC) 1.8 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15 ns 10 µA @ 600 V -55°C ~ 155°C - - Through Hole TO-3P
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