二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
HSM88WA-JTL

HSM88WA-JTL

DIODE SCHOTTKY BARRIER

Renesas Electronics Corporation

6,000
HSM88WA-JTL数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSB276ASTL-E

HSB276ASTL-E

DIODE SCHOTTKY BARRIER

Renesas Electronics Corporation

3,000
HSB276ASTL-E数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1S2835-D-T1-A

1S2835-D-T1-A

DIODE

Renesas Electronics Corporation

10,500
1S2835-D-T1-A数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSB226STL-E

HSB226STL-E

DIODE SCHOTTKY BARRIER

Renesas Electronics Corporation

32,500
HSB226STL-E数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HRB0502A-JTR-E

HRB0502A-JTR-E

DIODE SCHOTTKY

Renesas Electronics Corporation

18,000
HRB0502A-JTR-E数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSM276ASTR-E

HSM276ASTR-E

DIODE SCHOTTKY BARRIER

Renesas Electronics Corporation

52,006
HSM276ASTR-E数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSM107S-JTL

HSM107S-JTL

DIODE SCHOTTKY BARRIER

Renesas Electronics Corporation

1,400
HSM107S-JTL数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSM226STR-E

HSM226STR-E

DIODE SCHOTTKY BARRIER

Renesas Electronics Corporation

21,000
HSM226STR-E数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
RJS6004WDPK-00#T0

RJS6004WDPK-00#T0

DIODE ARRAY SIC 600V 10A TO-3P

Renesas Electronics Corporation

750
RJS6004WDPK-00#T0数据手册 - TO-220-3 Full Pack Bulk Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A (DC) 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15 ns 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-3P
CA3039

CA3039

DIODE ARRAY- 6 MATCH. UF,LOW CAP

Renesas Electronics Corporation

5,062
CA3039数据手册 * - - Obsolete - - - - - - - - - - - - -
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