存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR

MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR

IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA

Micron Technology Inc.

0
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR数据手册 - 132-VBGA Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 1Tbit 128G x 8 Parallel - - - 2.5V ~ 3.6V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 132-VBGA (12x18)
MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8 TR

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8 TR

IC FLASH RAM 544GBIT

Micron Technology Inc.

0
MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8 TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified - FLASH, RAM - 544Gbit - - - - - - - - - - -
MT53D768M64D4SQ-046 WT:A TR

MT53D768M64D4SQ-046 WT:A TR

IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53D768M64D4SQ-046 WT:A TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 48Gbit 768M x 64 - 2.133 GHz - - 1.1V -30°C ~ 85°C (TC) - - - -
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR

MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR

IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 32Gbit 1G x 32 - 2.133 GHz - - 1.1V -30°C ~ 85°C (TC) - - - -
MT53E1G64D8NW-046 WT:E TR

MT53E1G64D8NW-046 WT:E TR

IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E1G64D8NW-046 WT:E TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 64Gbit 1G x 64 - 2.133 GHz - - 1.1V -30°C ~ 85°C (TC) - - - -
MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR

MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR

IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 64Gbit 2G x 32 - 2.133 GHz - - 1.1V -30°C ~ 85°C (TC) - - - -
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR数据手册 - 200-WFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 16Gbit 512M x 32 - 2.133 GHz - - 1.1V -30°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 200-WFBGA (10x14.5)
MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR

MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR

IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR数据手册 - 432-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 32Gbit 512M x 64 - 2.133 GHz - - 1.1V -30°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 432-VFBGA (15x15)
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR

MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR

IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR数据手册 - 432-VFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 32Gbit 512M x 64 - 1.866 GHz - - 1.1V -30°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 432-VFBGA (15x15)
MT61M256M32JE-10 N:A TR

MT61M256M32JE-10 N:A TR

IC RAM 8GBIT PAR 1.25GHZ 180FBGA

Micron Technology Inc.

0
MT61M256M32JE-10 N:A TR数据手册 - 180-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile RAM SGRAM - GDDR6 8Gbit 256M x 32 Parallel 1.25 GHz - - 1.21V ~ 1.29V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 180-FBGA (12x14)
MTFC128GAOAMEA-WT ES TR

MTFC128GAOAMEA-WT ES TR

IC FLASH 1TBIT MMC

Micron Technology Inc.

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MTFC128GAOAMEA-WT ES TR数据手册 e•MMC™ - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 1Tbit 128G x 8 MMC - - - - -25°C ~ 85°C (TA) - - - -
MTFC128GAOANAM-WT TR

MTFC128GAOANAM-WT TR

IC FLASH 1TBIT MMC

Micron Technology Inc.

0
MTFC128GAOANAM-WT TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Not Verified - FLASH - 1Tbit 128G x 8 MMC - - - - - - - - -
MTFC32GAOALEA-WT ES TR

MTFC32GAOALEA-WT ES TR

IC FLASH 256GBIT MMC

Micron Technology Inc.

0
MTFC32GAOALEA-WT ES TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Not Verified - FLASH - 256Gbit 32G x 8 MMC - - - - - - - - -
MTFC64GAOAMEA-WT ES TR

MTFC64GAOAMEA-WT ES TR

IC FLASH 512GBIT MMC 153BGA

Micron Technology Inc.

0
MTFC64GAOAMEA-WT ES TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Not Verified - FLASH - 512Gbit 64G x 8 MMC - - - - - - - - -
MT25QL128ABA8E54-0SIT TR

MT25QL128ABA8E54-0SIT TR

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24TBGA

Micron Technology Inc.

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MT25QL128ABA8E54-0SIT TR数据手册 - 24-TBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR (SLC) 128Mbit 16M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz 8ms, 2.8ms - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 24-T-PBGA (6x8)
MT41K256M16TW-17 XIT:P

MT41K256M16TW-17 XIT:P

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

Micron Technology Inc.

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MT41K256M16TW-17 XIT:P数据手册 - 96-TFBGA Tray Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR3L 4Gbit 256M x 16 Parallel - - - 1.283V ~ 1.45V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (8x14)
ECF840AAACN-C1-Y3

ECF840AAACN-C1-Y3

IC DRAM 8GBIT PARALLEL

Micron Technology Inc.

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ECF840AAACN-C1-Y3数据手册 - - Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR3 8Gbit 512M x 16 Parallel - - - 1.14V ~ 1.95V - - - - -
MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR

MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR

IC FLASH 128MBIT SPI 8SOP2

Micron Technology Inc.

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MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR数据手册 - 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR 128Mbit 16M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz 8ms, 2.8ms - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-SOP2
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR

MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR

IC FLASH 128MBIT SPI 8SOP2

Micron Technology Inc.

0
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR数据手册 - 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR 128Mbit 16M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz 8ms, 2.8ms - 1.7V ~ 2V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-SOP2
MT25QU128ABA8E12-1SIT TR

MT25QU128ABA8E12-1SIT TR

IC FLASH 128MBIT SPI 24TBGA

Micron Technology Inc.

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MT25QU128ABA8E12-1SIT TR数据手册 - 24-TBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NOR 128Mbit 16M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz 8ms, 2.8ms - 1.7V ~ 2V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 24-TBGA (6x8)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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