存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR

MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR

IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR数据手册 - 200-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 32Gbit 1G x 32 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 125°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MT62F512M64D2EK-023 AUT:E

MT62F512M64D2EK-023 AUT:E

IC DRAM 32GBIT 441TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F512M64D2EK-023 AUT:E数据手册 - 441-TFBGA Bulk Active - - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 32Gbit 512M x 64 - - - - - - - - Surface Mount 441-TFBGA (14x14)
AT28LV010-20TU-235

AT28LV010-20TU-235

IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP

Microchip Technology

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AT28LV010-20TU-235数据手册 - 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Cut Tape (CT) Active Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 1Mbit 128K x 8 Parallel - 10ms 200 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 32-TSOP
MR3A16AUYS45

MR3A16AUYS45

IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2

Everspin Technologies Inc.

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MR3A16AUYS45数据手册 - 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Active Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 8Mbit 512K x 16 Parallel - 35ns 45 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 125°C (TA) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 54-TSOP2
SM662PXD BEST

SM662PXD BEST

IC FLASH 1TBIT EMMC 100BGA

Silicon Motion, Inc.

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SM662PXD BEST数据手册 Ferri-eMMC® 100-LBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (TLC) 1Tbit 128G x 8 eMMC - - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 100-BGA (14x18)
SM662PXD BESS

SM662PXD BESS

IC FLASH 1TBIT EMMC 100BGA

Silicon Motion, Inc.

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SM662PXD BESS数据手册 Ferri-eMMC® 100-LBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 1Tbit 128G x 8 eMMC - - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 100-BGA (14x18)
CY62177G30-55BAXI

CY62177G30-55BAXI

IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA

Infineon Technologies

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CY62177G30-55BAXI数据手册 MOBL™ 48-TFBGA Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 32Mbit 4M x 8, 2M x 16 Parallel - 55ns 55 ns 2.2V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-FBGA (8x9.5)
EM064LXQAB313CS1R

EM064LXQAB313CS1R

IC RAM 64MBIT XSPI/QUAD 24TBGA

Everspin Technologies Inc.

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EM064LXQAB313CS1R数据手册 EMxxLX 24-TBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 64Mbit 8M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz - - 1.65V ~ 2V 0°C ~ 70°C - - Surface Mount 24-TBGA (6x8)
EM064LXQADG13CS1R

EM064LXQADG13CS1R

IC RAM 64MBIT XSPI/QUAD 8DFN

Everspin Technologies Inc.

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EM064LXQADG13CS1R数据手册 EMxxLX 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 64Mbit 8M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz - - 1.65V ~ 2V 0°C ~ 70°C - - Surface Mount 8-DFN (6x8)
EM064LXQAB313CS1T

EM064LXQAB313CS1T

IC RAM 64MBIT XSPI/QUAD 24TBGA

Everspin Technologies Inc.

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EM064LXQAB313CS1T数据手册 EMxxLX 24-TBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 64Mbit 8M x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz - - 1.65V ~ 2V 0°C ~ 70°C - - Surface Mount 24-TBGA (6x8)
MT44K16M36RB-125:A TR

MT44K16M36RB-125:A TR

IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA

Micron Technology Inc.

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MT44K16M36RB-125:A TR数据手册 - 168-TBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 576Mbit 16M x 36 Parallel 800 MHz - 12 ns 1.28V ~ 1.42V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 168-BGA (13.5x13.5)
MT44K32M18RB-125:A TR

MT44K32M18RB-125:A TR

IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA

Micron Technology Inc.

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MT44K32M18RB-125:A TR数据手册 - 168-TBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM DRAM 576Mbit 32M x 18 Parallel 800 MHz - 12 ns 1.28V ~ 1.42V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 168-BGA (13.5x13.5)
71T75802S133PFGI8

71T75802S133PFGI8

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics Corporation

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71T75802S133PFGI8数据手册 - 100-LQFP Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 18Mbit 1M x 18 Parallel 133 MHz - 4.2 ns 2.375V ~ 2.625V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 100-TQFP (14x14)
MT61M512M32KPA-14 N:C

MT61M512M32KPA-14 N:C

IC DRAM 16GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

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MT61M512M32KPA-14 N:C数据手册 - - Box Obsolete Not Verified - DRAM SGRAM - GDDR6 16Gbit 512M x 32 - - - - - - - - - -
MT61M512M32KPA-14 N:C TR

MT61M512M32KPA-14 N:C TR

IC DRAM 16GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

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MT61M512M32KPA-14 N:C TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified - DRAM SGRAM - GDDR6 16Gbit 512M x 32 - - - - - - - - - -
X28HC256JZ-15

X28HC256JZ-15

IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC

Renesas Electronics Corporation

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X28HC256JZ-15数据手册 - 32-LCC (J-Lead) Tube Active - Non-Volatile EEPROM EEPROM 256Kbit 32K x 8 Parallel - 5ms 150 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 32-PLCC (13.97x11.43)
MTFC32GJGEF-AIT Z TR

MTFC32GJGEF-AIT Z TR

IC FLASH 256GBIT MMC 169TFBGA

Micron Technology Inc.

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MTFC32GJGEF-AIT Z TR数据手册 e•MMC™ 169-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 256Gbit 32G x 8 MMC - - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 169-TFBGA (14x18)
AT28C010-12PC

AT28C010-12PC

IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP

Microchip Technology

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AT28C010-12PC数据手册 - 32-DIP (0.600", 15.24mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 1Mbit 128K x 8 Parallel - 10ms 120 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TC) - - Through Hole 32-PDIP
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR数据手册 - 132-VBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 64Gbit 8G x 8 Parallel 166 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 132-VBGA (12x18)
MTC4C10163S1SC56BG1

MTC4C10163S1SC56BG1

IC DRAM 8GBIT VFBGA

Micron Technology Inc.

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MTC4C10163S1SC56BG1数据手册 - - Box Obsolete Not Verified - DRAM - 8Gbit - - - - - - - - - - -

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 存储器?

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