存储器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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GS8182D19BGD-400I

GS8182D19BGD-400I

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA

GSI Technology Inc.

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GS8182D19BGD-400I数据手册 - 165-LBGA Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Quad Port, Synchronous 18Mbit 1M x 18 Parallel 400 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FPBGA (15x13)
GS8182D37BGD-400I

GS8182D37BGD-400I

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA

GSI Technology Inc.

0
GS8182D37BGD-400I数据手册 - 165-LBGA Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Quad Port, Synchronous 18Mbit 512K x 36 Parallel 400 MHz - - 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-FPBGA (15x13)
MT53E1G32D2FW-046 AUT:A

MT53E1G32D2FW-046 AUT:A

IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E1G32D2FW-046 AUT:A数据手册 - 200-TFBGA Box Last Time Buy Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 32Gbit 1G x 32 Parallel 2.133 GHz 18ns - 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 125°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MT53E1G32D2FW-046 AUT:A TR

MT53E1G32D2FW-046 AUT:A TR

IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT53E1G32D2FW-046 AUT:A TR数据手册 - 200-TFBGA Tape & Reel (TR) Last Time Buy Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 32Gbit 1G x 32 Parallel 2.133 GHz 18ns - 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 125°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 200-TFBGA (10x14.5)
MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B

MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B

IC DRAM 32GBIT PAR 556WFBGA

Micron Technology Inc.

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MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B数据手册 - 556-TFBGA Box Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4X 32Gbit 512M x 64 Parallel 2.133 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V -40°C ~ 125°C (TC) Automotive AEC-Q100 Surface Mount 556-WFBGA (12.4x12.4)
AT28C010-15PC

AT28C010-15PC

IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP

Microchip Technology

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AT28C010-15PC数据手册 - 32-DIP (0.600", 15.24mm) Tube Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 1Mbit 128K x 8 Parallel - 10ms 150 ns 4.5V ~ 5.5V 0°C ~ 70°C (TC) - - Through Hole 32-PDIP
THGJFAT0T44BAIL

THGJFAT0T44BAIL

IC FLASH 1TBIT UFS 153BGA

Kioxia America, Inc.

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THGJFAT0T44BAIL数据手册 - 153-WBGA Tray Not For New Designs - Non-Volatile FLASH FLASH - NAND 1Tbit 128G x 8 UFS 1.16 GHz - - 2.4V ~ 2.7V, 2.7V ~ 3.6V -25°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 153-BGA (11.5x13)
MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K TR

MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K TR

IC FLASH 1TBIT VBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K TR数据手册 - - Tape & Reel (TR) Active Not Verified - FLASH - 1Tbit 128G x 8 - - - - - - - - - -
MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K

MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K

IC FLASH 1TBIT VBGA

Micron Technology Inc.

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MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K数据手册 - - Box Active Not Verified - FLASH - 1Tbit 128G x 8 - - - - - - - - - -
AT28C010E-12JU-235

AT28C010E-12JU-235

IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC

Microchip Technology

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AT28C010E-12JU-235数据手册 - 32-LCC (J-Lead) Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 1Mbit 128K x 8 Parallel - 10ms 120 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 32-PLCC (13.97x11.43)
MT62F1536M32D4DS-026 WT:B TR

MT62F1536M32D4DS-026 WT:B TR

IC DRAM 48GBIT LVSTL 200WBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1536M32D4DS-026 WT:B TR数据手册 - 200-WFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 1.5G x 32 LVSTL - - - - - - - - 200-WFBGA (10x14.5)
MT62F1536M32D4DS-023 WT:B

MT62F1536M32D4DS-023 WT:B

IC DRAM 48GBIT LVSTL 200WBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1536M32D4DS-023 WT:B数据手册 - 200-WFBGA Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 1.5G x 32 LVSTL 4.266 GHz - - - - - - Surface Mount 200-WFBGA (10x14.5)
MT62F1536M32D4DS-026 WT:B

MT62F1536M32D4DS-026 WT:B

IC DRAM 48GBIT LVSTL 200WBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1536M32D4DS-026 WT:B数据手册 - 200-WFBGA Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 1.5G x 32 LVSTL 3.2 GHz - - - - - - Surface Mount 200-WFBGA (10x14.5)
MT62F1536M32D4DS-023 WT:B TR

MT62F1536M32D4DS-023 WT:B TR

IC DRAM 48GBIT LVSTL 200WBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F1536M32D4DS-023 WT:B TR数据手册 - 200-WFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 1.5G x 32 LVSTL 3.2 GHz - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 200-WFBGA (10x14.5)
MT62F768M64D4EK-023 WT:B

MT62F768M64D4EK-023 WT:B

IC DRAM 48GBIT LVSTL 441TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F768M64D4EK-023 WT:B数据手册 - 441-TFBGA Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 768M x 64 LVSTL 4.266 GHz - - - - - - Surface Mount 441-TFBGA (14x14)
MT62F768M64D4EK-026 WT:B

MT62F768M64D4EK-026 WT:B

IC DRAM 48GBIT LVSTL 441TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F768M64D4EK-026 WT:B数据手册 - 441-TFBGA Box Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 768M x 64 LVSTL 3.2 GHz - - - - - - Surface Mount 441-TFBGA (14x14)
MT62F768M64D4EK-026 WT:B TR

MT62F768M64D4EK-026 WT:B TR

IC DRAM 48GBIT LVSTL 441TFBGA

Micron Technology Inc.

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MT62F768M64D4EK-026 WT:B TR数据手册 - 441-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 768M x 64 LVSTL 3.2 GHz - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 441-TFBGA (14x14)
MT62F768M64D4EK-023 WT:B TR

MT62F768M64D4EK-023 WT:B TR

IC DRAM 48GBIT LVSTL 441TFBGA

Micron Technology Inc.

0
MT62F768M64D4EK-023 WT:B TR数据手册 - 441-TFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR5 48Gbit 768M x 64 LVSTL 3.2 GHz - - - -25°C ~ 85°C - - Surface Mount 441-TFBGA (14x14)
X28HC256JIZ-15

X28HC256JIZ-15

IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC

Renesas Electronics Corporation

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X28HC256JIZ-15数据手册 - 32-LCC (J-Lead) Tube Active Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 256Kbit 32K x 8 Parallel - 5ms 150 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 32-PLCC (13.97x11.43)
IDT71P79804S250BQI

IDT71P79804S250BQI

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics Corporation

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IDT71P79804S250BQI数据手册 - 165-TBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, DDR II 18Mbit 1M x 18 Parallel 250 MHz - 6.3 ns 1.7V ~ 1.9V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 165-CABGA (13x15)

分类概览

存储器 产品与选型指南

存储器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 存储器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 存储器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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