单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
S3D08065I

S3D08065I

DIODE SIL CARB 650V 27A TO220

SMC Diode Solutions

210
S3D08065I数据手册 - TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-Isolation -55°C ~ 175°C
DSEI12-06AS-TUB

DSEI12-06AS-TUB

DIODE GEN PURP 600V 14A TO263AA

IXYS

49
DSEI12-06AS-TUB数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 600 V 14A 1.7 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 150°C
VS-E5TX2106S2LHM3

VS-E5TX2106S2LHM3

20A, 600V, "X" SERIES GEN 5 FRED

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

830
VS-E5TX2106S2LHM3数据手册 FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 20A 2.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 41 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
VS-E5TH2106S2LHM3

VS-E5TH2106S2LHM3

20A, 600V, "H" SERIES GEN 5 FRED

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

822
VS-E5TH2106S2LHM3数据手册 FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 20A 1.68 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 47 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
DSEP12-12BZ-TUB

DSEP12-12BZ-TUB

DIODE GEN PURP 1.2KV 12A TO263HV

IXYS

50
DSEP12-12BZ-TUB数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 12A 3.25 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 100 µA @ 1200 V 5pF @ 600V, 1MHz - - Surface Mount TO-263HV -55°C ~ 175°C
S3D08065E

S3D08065E

DIODE SIL CARBIDE 650V 23A DPAK

SMC Diode Solutions

100
S3D08065E数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 51 µA @ 650 V 661pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
DHG20I1200PA

DHG20I1200PA

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

IXYS

80
DHG20I1200PA数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 20A 2.7 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 30 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
VS-EPH6007L-N3

VS-EPH6007L-N3

DIODE GEN PURP 650V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

47
VS-EPH6007L-N3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 60A 2.2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 30 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-45EPS12LHM3

VS-45EPS12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

65
VS-45EPS12LHM3数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 45A 1.14 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
S4D08120A

S4D08120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220AC

SMC Diode Solutions

74
S4D08120A数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
IDH06SG60CXKSA2

IDH06SG60CXKSA2

DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-1

Infineon Technologies

37
IDH06SG60CXKSA2数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 6A 2.3 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
DSC02120

DSC02120

DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220AC

Diodes Incorporated

85
DSC02120数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 2A 1.7 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 128 µA @ 1200 V 130pF @ 100mV, 1MHz - - Through Hole TO220AC (Type WX) -55°C ~ 175°C
DHG20I600PA

DHG20I600PA

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC

IXYS

47
DHG20I600PA数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 20A 2.32 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 30 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
DSEI25-06AS-TUB

DSEI25-06AS-TUB

DIODE GEN PURP 600V 25A TO263

IXYS

100
DSEI25-06AS-TUB数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 600 V 25A 1.31 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V 20pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -40°C ~ 150°C
VS-25FR20

VS-25FR20

DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

85
VS-25FR20数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 25A 1.3 V @ 78 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
DSEP30-06B

DSEP30-06B

DIODE GP 600V 30A ISOPLUS247

IXYS

29
DSEP30-06B数据手册 HiPerFRED™ ISOPLUS247™ Tube Active Standard 600 V 30A 2.51 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole ISOPLUS247™ (BR) -55°C ~ 175°C
S3D20065D1

S3D20065D1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AD

SMC Diode Solutions

50
S3D20065D1数据手册 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 1190pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-25F20

VS-25F20

DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

88
VS-25F20数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 25A 1.3 V @ 78 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
1N5818-1

1N5818-1

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41

Microchip Technology

91
1N5818-1数据手册 - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 30 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 30 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 150°C
VS-12FR80

VS-12FR80

DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

98
VS-12FR80数据手册 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 12A 1.26 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

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如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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