单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
FT2000KA

FT2000KA

DIODE GEN PURP 50V 20A TO220AC

Diotec Semiconductor

98,840
FT2000KA数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 50 V 20A 960 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 50 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 150°C
SBX2550

SBX2550

DIODE SCHOTTKY 50V 25A P600

Diotec Semiconductor

500
SBX2550数据手册 - P600, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 25A 570 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 50 V - - - Through Hole P600 -50°C ~ 150°C
KT20A150

KT20A150

DIODE GEN PURP 150V 20A TO220AC

Diotec Semiconductor

1,050
KT20A150数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 150 V 20A 980 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 5 µA @ 150 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
KT20K150

KT20K150

DIODE GEN PURP 150V 20A TO220AC

Diotec Semiconductor

433
KT20K150数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 150 V 20A 980 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 5 µA @ 150 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
ADC6D10065G

ADC6D10065G

DIODE SIL SIC 650V 36A TO263-2

Analog Power Inc.

1,000
ADC6D10065G数据手册 WBG TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 36A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 650 V 6.3pF @ 0V, 100kHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
IDH16S60CAKSA1

IDH16S60CAKSA1

DIODE SIL CARB 600V 16A TO220-2

Infineon Technologies

12,385
IDH16S60CAKSA1数据手册 CoolSiC™+ TO-220-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 600 V 650pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
QSD50HCS120U

QSD50HCS120U

1200v 50amp SiC Schottky Barrier

Quest Semi

1,000
QSD50HCS120U数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 149A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 2380000pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
NC1D120C20KTNG

NC1D120C20KTNG

SiC Schottky 1200V 20A TO247- 2L

NovuSem

500
NC1D120C20KTNG数据手册 NC1D TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 1371pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
P2500Y

P2500Y

DIODE AVALANCHE 2KV 25A P600

Diotec Semiconductor

8,000
P2500Y数据手册 - P600, Axial Tape & Reel (TR) Active Avalanche 2000 V 25A 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 2 V - - - Through Hole P600 -50°C ~ 175°C
ADC3D10065I

ADC3D10065I

DIODE SIL SIC 1200V 10A TO220

Analog Power Inc.

550
ADC3D10065I数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 2 µA @ 650 V 6.3pF @ 200V, 100kHz - - Through Hole TO-220F -40°C ~ 175°C
QSD10HCS120U

QSD10HCS120U

Schottky barrier diode 1200v 10a

Quest Semi

1,600
QSD10HCS120U数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 770pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
NC1D120C30KTNG

NC1D120C30KTNG

SiC Schottky 1200V 30A TO247- 2L

NovuSem

300
NC1D120C30KTNG数据手册 NC1D TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 85 µA @ 1200 V 2125pF @ 0.1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
FFSH20120A

FFSH20120A

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

onsemi

900
FFSH20120A数据手册 - TO-247-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz - - Through Hole TO-247-2 -
QSD25HCS170U

QSD25HCS170U

1700v 25amp SiC Schottky Barrier

Quest Semi

1,233
QSD25HCS170U数据手册 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 94A 1.9 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1700 V 2822pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
NC1D120C40GTDN

NC1D120C40GTDN

SiC Diode 1200V 40A Dual Die TO2

NextGen Components

300
NC1D120C40GTDN数据手册 NC1D TO-247-3L Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1.2 kV 40A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 50 µA @ 1.2 kV 1371pF @ 100mV, 1MHz - - Through Hole TO-247-3L -55°C ~ 175°C
NC1D120C60GTDN

NC1D120C60GTDN

SiC Schottky 1200V 60A TO247- 3L

NextGen Components

300
NC1D120C60GTDN数据手册 - TO-247-3L Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky - 60A - - - - 2125pF @ 0.1V, 1MHz - - Surface Mount TO-247-3L -55°C ~ 175°C
ADC4D10120E

ADC4D10120E

DIODE SIL SIC 1200V 33A TO252-2

Analog Power Inc.

2,500
ADC4D10120E数据手册 WBG TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 1200 V 6.3pF @ 0V, 100kHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
ADC4D10120H

ADC4D10120H

DIODE SIL SIC 1200V 31.5A TO247-

Analog Power Inc.

950
ADC4D10120H数据手册 WBG TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 31.5A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 1200 V 6.3pF @ 0V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
ADE4D20120G

ADE4D20120G

DIODE SIL SIC 1200V 56A TO263-2

Analog Power Inc.

600
ADE4D20120G数据手册 WBG TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.85 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 12pF @ 0V, 100kHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
ADC4D20120H

ADC4D20120H

DIODE SIL SIC 1200V 54A TO247-2

Analog Power Inc.

800
ADC4D20120H数据手册 WBG TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.85 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 10 µA @ 1200 V 12pF @ 0V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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