单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
PMEG4002ESFCYL

PMEG4002ESFCYL

PMEG4002ESF - 40V, 0.2A LOW VF M

Nexperia USA Inc.

63,000
PMEG4002ESFCYL数据手册 - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 40 V 200mA 600 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.28 ns 6.5 µA @ 40 V 17pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 150°C
PMEG3002AESFCYL

PMEG3002AESFCYL

PMEG3002AESF - 30V, 0.2A LOW VF

Nexperia USA Inc.

63,000
PMEG3002AESFCYL数据手册 - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 30 V 200mA 470 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.37 ns 30 µA @ 10 V 22pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 150°C
PMEG3002ESFCYL

PMEG3002ESFCYL

PMEG3002ESF - 30V, 0.2A LOW VF M

Nexperia USA Inc.

63,000
PMEG3002ESFCYL数据手册 - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 30 V 200mA 535 mV @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.42 ns 9 µA @ 30 V 21pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 150°C
1N5282TR

1N5282TR

DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

60,204
1N5282TR数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 80 V 200mA 900 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 55 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
1N456ATR

1N456ATR

HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO

Fairchild Semiconductor

60,000
1N456ATR数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 30 V 500mA 1 V @ 100 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 nA @ 25 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
BAV103

BAV103

RECTIFIER DIODE, 0.2A, 250V

Fairchild Semiconductor

55,519
BAV103数据手册 - DO-213AA Bulk Active Standard 200 V 200mA 1.25 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 5 µA @ 200 V - - - Surface Mount DO-213AA (MINIMELF) -50°C ~ 175°C
1N914B

1N914B

RECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-

Fairchild Semiconductor

55,000
1N914B数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 100 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 175°C
PMEG4005ESFCYL

PMEG4005ESFCYL

PMEG4005ESF - 40V, 0.5A LOW VF M

Nexperia USA Inc.

54,000
PMEG4005ESFCYL数据手册 - 0201 (0603 Metric) Bulk Active Schottky 40 V 500mA 880 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.28 ns 6.5 µA @ 40 V 17pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DSN0603-2 150°C
MMSD459A

MMSD459A

DIODE GEN PURP SOD123

onsemi

51,000
MMSD459A数据手册 - SOD-123 Bulk Active Standard - - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Surface Mount SOD-123 150°C (Max)
DFD05TJ-BT

DFD05TJ-BT

RECTIFIER DIODE, 0.5A, 800V V(RR

onsemi

45,000
DFD05TJ-BT数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
BAV102,115

BAV102,115

DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS

NXP Semiconductors

40,000
BAV102,115数据手册 - DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bulk Active Standard 150 V 250mA 1.25 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 nA @ 150 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount LLDS; MiniMelf 175°C (Max)
1N5393

1N5393

DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Fairchild Semiconductor

35,950
1N5393数据手册 - DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 200 V 1.5A 1.3 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 200 V - - - Through Hole DO-204AC (DO-15) -50°C ~ 175°C
1N4006T/R

1N4006T/R

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

35,000
1N4006T/R数据手册 - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 800 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
BAT54FSTR

BAT54FSTR

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.2A,

onsemi

33,000
BAT54FSTR数据手册 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Schottky 30 V 200mA 800 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 5 ns 2 µA @ 25 V 10pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 150°C
1N4148TA

1N4148TA

HIGH CONDUCTANCE FAST DIODE

Fairchild Semiconductor

32,650
1N4148TA数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
BAV19TR

BAV19TR

DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

30,000
BAV19TR数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 120 V 200mA 1.25 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 100 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
1N914TR

1N914TR

RECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-

Fairchild Semiconductor

30,000
1N914TR数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 175°C
FDH444TR

FDH444TR

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

30,000
FDH444TR数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 125 V 200mA 1.2 V @ 300 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 60 ns 50 nA @ 100 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
1N4454

1N4454

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

30,000
1N4454数据手册 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 175°C
PMEG6010ESBC,315

PMEG6010ESBC,315

NEXPERIA PMEG6010ESBC - RECTIFIE

NXP Semiconductors

30,000
PMEG6010ESBC,315数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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