单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
BSDH06G65E2

BSDH06G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 6A TO220-2

Bourns Inc.

3,000
BSDH06G65E2数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 201pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
BSDH10G65E2

BSDH10G65E2

DIODE SIC 650V 10A TO220-2

Bourns Inc.

2,873
BSDH10G65E2数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 650 V 323pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
BSDH08G65E2

BSDH08G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2

Bourns Inc.

3,000
BSDH08G65E2数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 267pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
BSDD06G65E2

BSDD06G65E2

DIODE SIC 650V 6A TO252

Bourns Inc.

4,963
BSDD06G65E2数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 650 V 201pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
BSDD08G65E2

BSDD08G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO252

Bourns Inc.

5,000
BSDD08G65E2数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 267pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
BSDD05G120E2

BSDD05G120E2

DIODE SCHOT SIC 1200V 5A TO252

Bourns Inc.

4,994
BSDD05G120E2数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 1200 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
BSDH10S65E6

BSDH10S65E6

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO220-2

Bourns Inc.

2,966
BSDH10S65E6数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
BSDD10G65E2

BSDD10G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252

Bourns Inc.

9,660
BSDD10G65E2数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 323pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
BSDH10G120E2

BSDH10G120E2

DIODE SIC 1200V 10A TO220-2

Bourns Inc.

2,929
BSDH10G120E2数据手册 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V 481pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
BSDD10S65E6

BSDD10S65E6

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252

Bourns Inc.

4,995
BSDD10S65E6数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
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