单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
VS-10ETF12THM3

VS-10ETF12THM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

475
VS-10ETF12THM3数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
SBLF10L25-E3/45

SBLF10L25-E3/45

DIODE SCHOTTKY 25V 10A ITO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

631
SBLF10L25-E3/45数据手册 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Schottky 25 V 10A 460 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 800 µA @ 25 V - - - Through Hole ITO-220AC -65°C ~ 150°C
MSR1560G

MSR1560G

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2

onsemi

249
MSR1560G数据手册 SWITCHMODE™ TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 15A 1.8 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 15 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
STPSC2H065B-TR

STPSC2H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK

STMicroelectronics

4,630
STPSC2H065B-TR数据手册 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 2A 1.55 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 135pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
VS-10ETS12SLHM3

VS-10ETS12SLHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,097
VS-10ETS12SLHM3数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 10A 1.1 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
STTH25M06FP

STTH25M06FP

DIODE GP 600V 25A TO220FPAC

STMicroelectronics

721
STTH25M06FP数据手册 ECOPACK®2 TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 25A 3.4 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 60 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FPAC 175°C (Max)
DSEP6-06AS-TRL

DSEP6-06AS-TRL

DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA

IXYS

6,001
DSEP6-06AS-TRL数据手册 HiPerFRED™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 6A 2.02 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-252AA -40°C ~ 175°C
VS-10ETF12-M3

VS-10ETF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,793
VS-10ETF12-M3数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
CSD01060A

CSD01060A

DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

7,868
CSD01060A数据手册 Zero Recovery™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 1.8 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 600 V 80pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FSF10A20

FSF10A20

DIODE GP 200V 10A TO220 FM

KYOCERA AVX

925
FSF10A20数据手册 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 200 V 10A 1.03 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 25 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220-2 Full-Mold -40°C ~ 150°C
STTH15R06D

STTH15R06D

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

STMicroelectronics

922
STTH15R06D数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 15A 2.9 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 60 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
IDP30E65D1XKSA1

IDP30E65D1XKSA1

DIODE GP 650V 60A TO220-2-1

Infineon Technologies

645
IDP30E65D1XKSA1数据手册 - TO-220-2 Tube Active Standard 650 V 60A 1.7 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 64 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO220-2-1 -40°C ~ 175°C
SE30DT12-M3/I

SE30DT12-M3/I

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

866
SE30DT12-M3/I数据手册 eSMP® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 3.4 µs 10 µA @ 1200 V 132pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount SMPD -55°C ~ 175°C
VS-E5TH3006THN3

VS-E5TH3006THN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

825
VS-E5TH3006THN3数据手册 FRED Pt® TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 46 ns 20 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STPSC8H065DI

STPSC8H065DI

DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS

STMicroelectronics

793
STPSC8H065DI数据手册 - TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.75 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 80 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
VS-E4PU3006L-N3

VS-E4PU3006L-N3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

436
VS-E4PU3006L-N3数据手册 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
RFUH25NS3STL

RFUH25NS3STL

DIODE GEN PURP 350V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

2,121
RFUH25NS3STL数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 350 V 20A 1.45 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 350 V - - - Surface Mount LPDS 150°C
APT40DQ120BG

APT40DQ120BG

DIODE GP 1.2KV 40A TO247

Microchip Technology

251
APT40DQ120BG数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 40A 3.3 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 350 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
SE20DLG-M3/I

SE20DLG-M3/I

DIODE GEN PURP 400V 3.9A TO263AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,502
SE20DLG-M3/I数据手册 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 3.9A 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 330 ns 5 µA @ 400 V 160pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AC (SMPD) -55°C ~ 175°C
SDUR3040W

SDUR3040W

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AC

SMC Diode Solutions

866
SDUR3040W数据手册 - TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 5 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
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分类概览

单个二极管 产品与选型指南

单个二极管 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 单个二极管。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 单个二极管?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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