单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
DSAI75-12B

DSAI75-12B

DIODE AVAL 1.2KV 110A DO203AB

IXYS

7,320
DSAI75-12B数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Box Obsolete Avalanche 1200 V 110A 1.17 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
DSA300I200NA

DSA300I200NA

DIODE SCHOTTKY 200V 300A SOT227B

IXYS

2,194
DSA300I200NA数据手册 - SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete Schottky 200 V 300A 1.03 V @ 300 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 200 V 2220pF @ 24V, 1MHz - - Chassis Mount SOT-227B -
DSA75-16B

DSA75-16B

DIODE AVAL 1.6KV 110A DO203AB

IXYS

8,357
DSA75-16B数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Obsolete Avalanche 1600 V 110A 1.17 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
DSAI75-16B

DSAI75-16B

DIODE AVAL 1.6KV 110A DO203AB

IXYS

6,750
DSAI75-16B数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Obsolete Avalanche 1600 V 110A 1.17 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
DSA75-18B

DSA75-18B

DIODE AVAL 1.8KV 110A DO203AB

IXYS

9,288
DSA75-18B数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Box Obsolete Avalanche 1800 V 110A 1.17 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 1800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
DSAI75-18B

DSAI75-18B

DIODE AVAL 1.8KV 110A DO203AB

IXYS

4,857
DSAI75-18B数据手册 - DO-203AB, DO-5, Stud Box Obsolete Avalanche 1800 V 110A 1.17 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 1800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB -40°C ~ 180°C
DHG55I3300FE

DHG55I3300FE

DIODE GP 3.3KV 50A ISOPLUS I4PAC

IXYS

6,335
DHG55I3300FE数据手册 - i4-Pac™-5 (2 Leads) Tube Active Standard 3300 V 50A 3.4 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.65 µs 100 µA @ 3300 V 16pF @ 1.8kV, 1MHz - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ -40°C ~ 150°C
W0642WC160

W0642WC160

DIODE GEN PURP 1.6KV 642A W1

IXYS

3,185
W0642WC160数据手册 - DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 1600 V 642A 2.37 V @ 1900 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 15 µs 15 mA @ 1600 V - - - Clamp On W1 -40°C ~ 180°C
W0642WC200

W0642WC200

DIODE GEN PURP 2KV 642A W1

IXYS

4,607
W0642WC200数据手册 - DO-200AB, A-PUK Box Active Standard 2000 V 642A 2.37 V @ 1900 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 15 µs 15 mA @ 2000 V - - - Clamp On W1 -40°C ~ 180°C
DHG40I4500KO

DHG40I4500KO

DIODE GP 4.5KV 43A ISOPLUS264

IXYS

5,071
DHG40I4500KO数据手册 - ISOPLUS264™ Tube Active Standard 4500 V 43A 3 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.45 µs 100 µA @ 4500 V 13pF @ 1.8kV, 1MHz - - Through Hole ISOPLUS264™ -40°C ~ 150°C
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